IRFU214PBF

IRFU214PBF

Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 250V 2.2A 3-Pin(3+Tab) IPAK
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Technische Details IRFU214PBF

Description: MOSFET N-CH 250V 2.2A TO251AA, Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Part Status: Active, Supplier Device Package: TO-251AA, Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 25W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 1.3A, 10V, Packaging: Tube, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140 pF @ 25 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2 nC @ 10 V.

Preis IRFU214PBF ab 0.87 EUR bis 3.8 EUR

IRFU214PBF
IRFU214PBF
Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFET 250V N-CH HEXFET I-PAK
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IRFU214PBF
IRFU214PBF
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 250V 2.2A TO251AA
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-251AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 25W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 1.3A, 10V
Packaging: Tube
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2 nC @ 10 V
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Hersteller: VISHAY

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Hersteller: Vishay
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Trans MOSFET N-CH 250V 2.2A 3-Pin(3+Tab) IPAK
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