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IRLR3410TRLPBF(Transistor)

Name: IRLR3410TRLPBF(Transistor)
Brand: IR
SKU: 89552
Price: 14 EUR
Availability: InStock

Produktcode: 89552

Hersteller: IR
Gehäuse: DPAK-3
Uds,V: 100
Idd,A: 17
Rds(on), Ohm: 0.105
Ciss, pF/Qg, nC: 800/34
Bem.: Керування логічним рівнем
JHGF: SMD

verfügbar 6 Stück:

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IRLR3410TRLPBF

Hersteller : Infineon Technologies

infineon-irlr3410-datasheet-v01_01-en.pdf

Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 2965 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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242+	0.65 EUR

Mindestbestellmenge: 242

IRLR3410TRLPBF

Hersteller : Infineon Technologies

irlr3410pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153566d14c52695

Description: MOSFET N-CH 100V 17A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 25 V

auf Bestellung 45000 Stücke:

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3000+	1.05 EUR
6000+	1 EUR
9000+	0.96 EUR

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IRLR3410TRLPBF

Hersteller : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 2730 Stücke:

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95+	1.66 EUR
96+	1.57 EUR
121+	1.21 EUR
200+	1.1 EUR
500+	0.94 EUR
1000+	0.64 EUR

Mindestbestellmenge: 95

IRLR3410TRLPBF

Hersteller : Infineon Technologies

Infineon_IRLR3410_DataSheet_v01_01_EN-3363598.pdf

MOSFET MOSFT 100V 15A 105mOhm 22.7nC LogLv

auf Bestellung 2888 Stücke:

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21+	2.54 EUR
25+	2.1 EUR
100+	1.63 EUR
500+	1.38 EUR
1000+	1.13 EUR
3000+	1.06 EUR
6000+	1.01 EUR

Mindestbestellmenge: 21

IRLR3410TRLPBF

Hersteller : Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 100V 17A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 25 V

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11+	2.55 EUR
13+	2.09 EUR
100+	1.62 EUR
500+	1.38 EUR
1000+	1.12 EUR

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IRLR3410TRLPBF

Hersteller : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

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IRLR3410TRLPBF

Hersteller : INFINEON

INFN-S-A0012905746-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0

Description: INFINEON - IRLR3410TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 17 A, 0.105 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 79W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.105ohm

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IRLR3410TRLPBF

Hersteller : INFINEON

auf Bestellung 6374 Stücke:

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IRLR3410TRLPBF

Hersteller : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

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IRLR3410TRLPBF

Hersteller : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

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IRLR3410TRLPBF

Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 12A; Idm: 60A; 79W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 12A
Pulsed drain current: 60A
Power dissipation: 79W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 0.105Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke

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IRLR3410TRLPBF

Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES

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KBP310 (Diodenbrücke)
Produktcode: 42661

Hersteller: YJ
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Diodenbrücken und Baugruppen
Gehäuse: KBP
Urew: 1000V
I dir: 3A
Zus.Info: Einiphasen-Brücke
Auwechselbar:: KPB3005, KPB301, KPB302, KPB304, KPB306, KPB308, KPB301G, KPB302G, KPB303G, KPB304G, KPB305G, KPB306G, KPB307G, KPB2005, KPB201, KPB202, KPB204, KPB206, KPB208, KPB210, KPB2005G, KPB201G, KPB202G, KPB204G, KPB206G, KPB208G, KBP151G, KBP152G, KBP153G, KBP1
Монтаж: THT
Імпульсний струм, А: 80 A
№ 7: 8541 10 00 10

verfügbar: 1653 Stück

Anzahl	Preis ohne MwSt
1+	0.75 EUR
10+	0.7 EUR
100+	0.15 EUR
1000+	0.13 EUR

IRFR4620PBF
Produktcode: 37550

irfr4620pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356323ae920f7

Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Uds,V: 200 V
Idd,A: 24 A
Rds(on), Ohm: 0,064 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1710/25
JHGF: SMD

auf Bestellung 29 Stück:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)