IXFH26N50P IXYS
Hersteller: IXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 26A; 400W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 26A
Power dissipation: 400W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.23Ω
Mounting: THT
Gate charge: 60nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
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| Anzahl | Preis ohne MwSt |
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Technische Details IXFH26N50P IXYS
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFH26N50P - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 26 A, 0.23 ohm, TO-247, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 500V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 26A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 400W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: PolarHV HiPerFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.23ohm, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).
Weitere Produktangebote IXFH26N50P nach Preis ab 6.32 EUR bis 12.92 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||
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IXFH26N50P | Hersteller : IXYS |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 26A; 400W; TO247-3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 26A Power dissipation: 400W Case: TO247-3 On-state resistance: 0.23Ω Mounting: THT Gate charge: 60nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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IXFH26N50P | Hersteller : IXYS |
MOSFET HiPERFET Id26 BVdass500 |
auf Bestellung 2501 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IXFH26N50P | Hersteller : IXYS |
Description: MOSFET N-CH 500V 26A TO247AD Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 230mOhm @ 13A, 10V Power Dissipation (Max): 400W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 4mA Supplier Device Package: TO-247AD (IXFH) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3600 pF @ 25 V |
auf Bestellung 463 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IXFH26N50P | Hersteller : IXYS SEMICONDUCTOR |
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFH26N50P - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 26 A, 0.23 ohm, TO-247, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 500V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 26A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 400W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: PolarHV HiPerFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.23ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
auf Bestellung 428 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IXFH26N50P | Hersteller : Ixys Semiconductor GmbH |
( N-CH U=500В I= 26 A R= 0.23 Om P=400W TO-247) задержка 200 нсек |
auf Bestellung 10 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IXFH26N50P Produktcode: 127550 |
Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule |
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IXFH26N50P | Hersteller : Littelfuse |
Trans MOSFET N-CH 500V 26A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD |
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IXFH26N50P | Hersteller : Littelfuse |
Trans MOSFET N-CH 500V 26A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD |
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