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IXFH26N50P

IXFH26N50P IXYS

IXFH26N50P.pdf Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 26A; 400W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 26A
Power dissipation: 400W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.23Ω
Mounting: THT
Gate charge: 60nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 192 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
8+9.08 EUR
11+6.82 EUR
12+6.45 EUR
120+6.39 EUR
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Technische Details IXFH26N50P IXYS

Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFH26N50P - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 26 A, 0.23 ohm, TO-247, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 500V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 26A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 400W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: PolarHV HiPerFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.23ohm, SVHC: No SVHC (12-Jan-2017).

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IXFH26N50P IXFH26N50P Hersteller : IXYS IXFH26N50P.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 26A; 400W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 26A
Power dissipation: 400W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.23Ω
Mounting: THT
Gate charge: 60nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
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Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
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IXFH26N50P IXFH26N50P Hersteller : Littelfuse iscrete_mosfets_n-channel_hiperfets_ixfh26n50p_datasheet.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 26A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
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30+7.25 EUR
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IXFH26N50P IXFH26N50P Hersteller : Littelfuse iscrete_mosfets_n-channel_hiperfets_ixfh26n50p_datasheet.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 26A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
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30+7.39 EUR
120+6.07 EUR
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IXFH26N50P IXFH26N50P Hersteller : Ixys Corporation iscrete-mosfets-n-channel-hiperfets-ixfh26n50p-datasheet.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 26A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
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IXFH26N50P IXFH26N50P Hersteller : Littelfuse Inc. littelfuse-discrete-mosfets-ixfh26n50p-datasheet?assetguid=50ccf495-5282-4c52-b8c5-535f228f328f Description: MOSFET N-CH 500V 26A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 230mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 400W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-247AD (IXFH)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3600 pF @ 25 V
auf Bestellung 926 Stücke:
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Anzahl Preis
2+12.50 EUR
30+7.86 EUR
120+6.76 EUR
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IXFH26N50P IXFH26N50P Hersteller : IXYS media-3320707.pdf MOSFETs HiPERFET Id26 BVdass500
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IXFH26N50P IXFH26N50P Hersteller : IXYS SEMICONDUCTOR IXYS-S-A0008597254-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFH26N50P - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 26 A, 0.23 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 26A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PolarHV HiPerFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.23ohm
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
auf Bestellung 185 Stücke:
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IXFH26N50P Hersteller : Ixys Semiconductor GmbH littelfuse-discrete-mosfets-ixfh26n50p-datasheet?assetguid=50ccf495-5282-4c52-b8c5-535f228f328f ( N-CH U=500В I= 26 A R= 0.23 Om P=400W TO-247) задержка 200 нсек
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