MPLAD6.5KP10CAE3 Microsemi Corporation
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Technische Details MPLAD6.5KP10CAE3 Microsemi Corporation
Category: Bidirectional SMD transil diodes, Description: Diode: TVS; 6.5kW; 11.1÷12.3V; 383A; bidirectional; PLAD, Type of diode: TVS, Peak pulse power dissipation: 6.5kW, Max. off-state voltage: 10V, Breakdown voltage: 11.1...12.3V, Max. forward impulse current: 383A, Semiconductor structure: bidirectional, Case: PLAD, Mounting: SMD, Leakage current: 15µA, Anzahl je Verpackung: 1 Stücke.
Weitere Produktangebote MPLAD6.5KP10CAE3
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis ohne MwSt |
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MPLAD6.5KP10CAE3 | Hersteller : Microchip Technology |
 TVS Diode Single Bi-Dir 10V 6.5KW Automotive 2-Pin mini-PLAD Bag |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| MPLAD6.5KP10CAE3 | Hersteller : MICROCHIP (MICROSEMI) |
Category: Bidirectional SMD transil diodes Description: Diode: TVS; 6.5kW; 11.1÷12.3V; 383A; bidirectional; PLAD Type of diode: TVS Peak pulse power dissipation: 6.5kW Max. off-state voltage: 10V Breakdown voltage: 11.1...12.3V Max. forward impulse current: 383A Semiconductor structure: bidirectional Case: PLAD Mounting: SMD Leakage current: 15µA Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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| MPLAD6.5KP10CAE3 | Hersteller : MICROSEMI |
MPLAD6.5KP10CAE3 MPLAD6.5 Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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| MPLAD6.5KP10CAE3 | Hersteller : Microchip / Microsemi |
ESD Suppressors / TVS Diodes Hi Rel TVS |
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MPLAD6.5KP10CAE3 | Hersteller : Microchip Technology |
ESD Suppressors / TVS Diodes Bi-Directional TVS |
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| MPLAD6.5KP10CAE3 | Hersteller : MICROCHIP (MICROSEMI) |
Category: Bidirectional SMD transil diodes Description: Diode: TVS; 6.5kW; 11.1÷12.3V; 383A; bidirectional; PLAD Type of diode: TVS Peak pulse power dissipation: 6.5kW Max. off-state voltage: 10V Breakdown voltage: 11.1...12.3V Max. forward impulse current: 383A Semiconductor structure: bidirectional Case: PLAD Mounting: SMD Leakage current: 15µA |
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