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Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||
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MUR1660CT | Hersteller : YANGJIE TECHNOLOGY |
Category: THT universal diodes Description: Diode: rectifying; THT; 600V; 16A; tube; Ifsm: 100A; TO220AB; 50ns Type of diode: rectifying Mounting: THT Max. off-state voltage: 0.6kV Load current: 16A Reverse recovery time: 50ns Semiconductor structure: common cathode; double Features of semiconductor devices: superfast switching Case: TO220AB Kind of package: tube Max. forward impulse current: 100A Max. forward voltage: 1.7V Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 172 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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MUR1660CT | Hersteller : YANGJIE TECHNOLOGY |
Category: THT universal diodes Description: Diode: rectifying; THT; 600V; 16A; tube; Ifsm: 100A; TO220AB; 50ns Type of diode: rectifying Mounting: THT Max. off-state voltage: 0.6kV Load current: 16A Reverse recovery time: 50ns Semiconductor structure: common cathode; double Features of semiconductor devices: superfast switching Case: TO220AB Kind of package: tube Max. forward impulse current: 100A Max. forward voltage: 1.7V |
auf Bestellung 172 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MUR1660CT | Hersteller : Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: DIODE ARRAY GP 600V 16A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 50 ns Technology: Standard Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 16A Supplier Device Package: TO-220AB Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 8 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V |
auf Bestellung 1288 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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MUR1660CT | Hersteller : Taiwan Semiconductor | Rectifiers 50ns, 16A, 600V, High Efficient Recovery Rectifier |
auf Bestellung 692 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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MUR1660CT | Hersteller : TAIWAN SEMICONDUCTOR |
Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - MUR1660CT - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 600 V, 16 A, Zweifach, gemeinsame Kathode, 1.5 V, 50 ns tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-220AB Durchlassstoßstrom: 150A rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 1.5V Sperrverzögerungszeit: 50ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 16A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 600V Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C |
auf Bestellung 42 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MUR1660CT | Hersteller : YY |
16A; 600V packaging: tube MUR1660CT diode rectifying DP MUR1660CT YY Anzahl je Verpackung: 50 Stücke |
auf Bestellung 800 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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MUR1660CT | Hersteller : ON Semiconductor | Rectifier Diode Switching 600V 16A 60ns 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
Produkt ist nicht verfügbar |
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MUR1660CT | Hersteller : Good-Ark | Rectifier Diode Switching 600V 16A 50ns 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
Produkt ist nicht verfügbar |
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MUR1660CT | Hersteller : EIC Semiconductor | MUR1660CT |
Produkt ist nicht verfügbar |
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MUR1660CT | Hersteller : Taiwan Semiconductor | Diode Switching 600V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
Produkt ist nicht verfügbar |
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MUR1660CT | Hersteller : SIRECTIFIER |
Category: THT universal diodes Description: Diode: rectifying; THT; 600V; 8Ax2; tube; Ifsm: 125A; TO220AB; 50ns Type of diode: rectifying Mounting: THT Max. off-state voltage: 0.6kV Load current: 8A x2 Max. load current: 16A Reverse recovery time: 50ns Semiconductor structure: common cathode; double Features of semiconductor devices: ultrafast switching Case: TO220AB Kind of package: tube Max. forward impulse current: 125A Max. forward voltage: 1.5V Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
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MUR1660CT | Hersteller : SIRECTIFIER |
Category: THT universal diodes Description: Diode: rectifying; THT; 600V; 8Ax2; tube; Ifsm: 125A; TO220AB; 50ns Type of diode: rectifying Mounting: THT Max. off-state voltage: 0.6kV Load current: 8A x2 Max. load current: 16A Reverse recovery time: 50ns Semiconductor structure: common cathode; double Features of semiconductor devices: ultrafast switching Case: TO220AB Kind of package: tube Max. forward impulse current: 125A Max. forward voltage: 1.5V |
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GBU810 (Analoge GBU8M) (Diodenbrücke) Produktcode: 42586 |
Hersteller: YJ
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Diodenbrücken und Baugruppen
Gehäuse: GBU
Urew: 1000V
I dir: 8A
Zus.Info: Einiphasen-Brücke
Auwechselbar:: GBU8005, GBU801, GBU802, GBU804, GBU806, GBU808, GBU8A, GBU8B, GBU8D, GBU8G, GBU8J, GBU8K, GBU8M, GBU6A, GBU6B, GBU6D, GBU6G, GBU6J, GBU6K, GBU4A, GBU4B, GBU4D, GBU4G, GBU4J, GBU4K, GBU4M, GBU6005, GBU601, GBU602, GBU604, GBU606, GBU4005, GBU401, GBU402,
Монтаж: THT
Імпульсний струм, А: 200 A
№ 7: 8541 10 00 10
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Diodenbrücken und Baugruppen
Gehäuse: GBU
Urew: 1000V
I dir: 8A
Zus.Info: Einiphasen-Brücke
Auwechselbar:: GBU8005, GBU801, GBU802, GBU804, GBU806, GBU808, GBU8A, GBU8B, GBU8D, GBU8G, GBU8J, GBU8K, GBU8M, GBU6A, GBU6B, GBU6D, GBU6G, GBU6J, GBU6K, GBU4A, GBU4B, GBU4D, GBU4G, GBU4J, GBU4K, GBU4M, GBU6005, GBU601, GBU602, GBU604, GBU606, GBU4005, GBU401, GBU402,
Монтаж: THT
Імпульсний струм, А: 200 A
№ 7: 8541 10 00 10
verfügbar: 226 Stück
Anzahl | Preis ohne MwSt |
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1+ | 0.48 EUR |
10+ | 0.42 EUR |
100+ | 0.36 EUR |
100uF 35V EHR 8x12mm (EHR101M35B-Hitano) Produktcode: 3016 |
Hersteller: Hitano
Kondensatoren > Kondensatoren elektrolytische THT
Kapazität: 100uF
Nennspannung: 35V
Reihe: EHR
Temp.Bereich: -40...+105°C
Abmessungen: 8x12mm
Lebensdauer: 8х12mm
№ 8: 2000 годин
8532 22 00 00
Kondensatoren > Kondensatoren elektrolytische THT
Kapazität: 100uF
Nennspannung: 35V
Reihe: EHR
Temp.Bereich: -40...+105°C
Abmessungen: 8x12mm
Lebensdauer: 8х12mm
№ 8: 2000 годин
8532 22 00 00
verfügbar: 8209 Stück
Anzahl | Preis ohne MwSt |
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1+ | 0.07 EUR |
10+ | 0.06 EUR |
100+ | 0.03 EUR |
1000+ | 0.025 EUR |
MUR4100ERLG Produktcode: 2526 |
Hersteller: ON
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Dioden superschnelle
Gehäuse: DO-201
Vrr, V: 1000
Iav, A: 4
Trr, ns: 75
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Dioden superschnelle
Gehäuse: DO-201
Vrr, V: 1000
Iav, A: 4
Trr, ns: 75
auf Bestellung 195 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
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1+ | 0.42 EUR |
1000uF 100V ELP 22x30mm (ELP102M2ABA-Hitano) Produktcode: 2353 |
Hersteller: Hitano
Kondensatoren > Kondensatoren elektrolytische THT
Kapazität: 1000uF
Nennspannung: 100V
Reihe: ELP
Temp.Bereich: -40...+85°C
Abmessungen: 22x30mm
Lebensdauer: 22х30mm
№ 8: 2000 годин
8532 22 00 00
Kondensatoren > Kondensatoren elektrolytische THT
Kapazität: 1000uF
Nennspannung: 100V
Reihe: ELP
Temp.Bereich: -40...+85°C
Abmessungen: 22x30mm
Lebensdauer: 22х30mm
№ 8: 2000 годин
8532 22 00 00
verfügbar: 12 Stück
Anzahl | Preis ohne MwSt |
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1+ | 1.4 EUR |
10+ | 1.13 EUR |
STP20NM50 Produktcode: 2175 |
Hersteller: ST
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 500
Idd,A: 20
Rds(on), Ohm: 01.02.2000
Ciss, pF/Qg, nC: 1480/40
JHGF: THT
ZCODE: 8541290010
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 500
Idd,A: 20
Rds(on), Ohm: 01.02.2000
Ciss, pF/Qg, nC: 1480/40
JHGF: THT
ZCODE: 8541290010
auf Bestellung 33 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)erwartet 100 Stück:
Anzahl | Preis ohne MwSt |
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1+ | 2.46 EUR |
10+ | 2.14 EUR |