MURT40010
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Technische Details MURT40010
Description: DIODE MODULE 100V 400A 3TOWER, Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 400A (DC), Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100V, Supplier Device Package: Three Tower, Package / Case: Three Tower, Mounting Type: Chassis Mount, Current - Reverse Leakage @ Vr: 25µA @ 50V, Reverse Recovery Time (trr): 125ns, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3V @ 200A, Diode Type: Standard, Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode.
Preis MURT40010 ab 0 EUR bis 0 EUR
 Hersteller: GeneSiC Semiconductor Description: DIODE MODULE 100V 400A 3TOWER Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 400A (DC) Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100V Supplier Device Package: Three Tower Package / Case: Three Tower Mounting Type: Chassis Mount Current - Reverse Leakage @ Vr: 25µA @ 50V Reverse Recovery Time (trr): 125ns Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3V @ 200A Diode Type: Standard Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode 
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