NTE128P

NTE128P

Hersteller: NTE Electronics
Material: NTE128P NPN THT transistors
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Technische Details NTE128P

Description: TRANS NPN 80V 1A TO237, Supplier Device Package: TO-237, Frequency - Transition: 50MHz, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 350mA, 2V, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Transistor Type: NPN, Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-237AA, Packaging: Bag, Power - Max: 850 mW, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V, Current - Collector (Ic) (Max): 1 A, Part Status: Active.

Preis NTE128P ab 3.22 EUR bis 4.5 EUR

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Hersteller: NTE Electronics
Material: NTE128P NPN THT transistors
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Hersteller: NTE Electronics, Inc.
Trans GP BJT NPN 80V 1A 3-Pin TO-237
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Hersteller: NTE Electronics, Inc
Description: TRANS NPN 80V 1A TO237
Supplier Device Package: TO-237
Frequency - Transition: 50MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 350mA, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-237AA
Packaging: Bag
Power - Max: 850 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Part Status: Active
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