NTE128P
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Technische Details NTE128P
Description: TRANS NPN 80V 1A TO237, Supplier Device Package: TO-237, Frequency - Transition: 50MHz, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 350mA, 2V, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Transistor Type: NPN, Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-237AA, Packaging: Bag, Power - Max: 850 mW, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V, Current - Collector (Ic) (Max): 1 A, Part Status: Active.
Preis NTE128P ab 3.22 EUR bis 4.5 EUR
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NTE128P Hersteller: NTE Electronics Material: NTE128P NPN THT transistors 
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NTE128P Hersteller: NTE Electronics, Inc. Trans GP BJT NPN 80V 1A 3-Pin TO-237
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 Hersteller: NTE Electronics, Inc Description: TRANS NPN 80V 1A TO237 Supplier Device Package: TO-237 Frequency - Transition: 50MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 350mA, 2V Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Transistor Type: NPN Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-237AA Packaging: Bag Power - Max: 850 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Part Status: Active
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