NTE128P NTE Electronics, Inc.
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Technische Details NTE128P NTE Electronics, Inc.
Description: TRANS NPN 80V 1A TO237, Packaging: Bag, Package / Case: TO-237AA, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 350mA, 2V, Frequency - Transition: 50MHz, Supplier Device Package: TO-237, Current - Collector (Ic) (Max): 1 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V, Power - Max: 850 mW.
Weitere Produktangebote NTE128P
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis ohne MwSt |
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NTE128P | Hersteller : NTE Electronics |
 Category: NPN THT transistorsDescription: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 1A; 2W; TO237 Mounting: THT Case: TO237 Power dissipation: 2W Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 80V Current gain: 100...300 Collector current: 1A Type of transistor: NPN Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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NTE128P | Hersteller : NTE Electronics, Inc. |
Trans GP BJT NPN 80V 1A 3-Pin TO-237 |
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NTE128P | Hersteller : NTE Electronics, Inc |
Description: TRANS NPN 80V 1A TO237 Packaging: Bag Package / Case: TO-237AA Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 350mA, 2V Frequency - Transition: 50MHz Supplier Device Package: TO-237 Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 850 mW |
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NTE128P | Hersteller : NTE Electronics |
Category: NPN THT transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 1A; 2W; TO237 Mounting: THT Case: TO237 Power dissipation: 2W Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 80V Current gain: 100...300 Collector current: 1A Type of transistor: NPN |
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