NTE3311

NTE3311

Hersteller: NTE Electronics
Material: NTE3311 THT IGBT transistors
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Technische Details NTE3311

Description: IGBT-600V 15AMP, Power - Max: 150 W, Current - Collector Pulsed (Icm): 50 A, Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3, Packaging: Bag, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V, Current - Collector (Ic) (Max): 25 A, Part Status: Active, Td (on/off) @ 25°C: 400ns/500ns, Supplier Device Package: TO-3P, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 4V @ 15V, 25A, Input Type: Standard, Operating Temperature: 150°C (TJ), Mounting Type: Through Hole.

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Hersteller: NTE Electronics, Inc.
Trans IGBT Chip N-CH 600V 25A 150000mW 3-Pin(3+Tab) TO-3P
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Hersteller: NTE Electronics, Inc
Description: IGBT-600V 15AMP
Power - Max: 150 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 50 A
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Packaging: Bag
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector (Ic) (Max): 25 A
Part Status: Active
Td (on/off) @ 25°C: 400ns/500ns
Supplier Device Package: TO-3P
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 4V @ 15V, 25A
Input Type: Standard
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
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