NTE3311

NTE3311 NTE Electronics, Inc


nte3311.pdf Hersteller: NTE Electronics, Inc
Description: IGBT-600V 15AMP
Packaging: Bag
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 4V @ 15V, 25A
Supplier Device Package: TO-3P
Td (on/off) @ 25°C: 400ns/500ns
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 25 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 50 A
Power - Max: 150 W
auf Bestellung 57 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
1+36.5 EUR
10+ 34.68 EUR
20+ 32.86 EUR
50+ 31.02 EUR
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details NTE3311 NTE Electronics, Inc

Description: IGBT-600V 15AMP, Packaging: Bag, Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: 150°C (TJ), Input Type: Standard, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 4V @ 15V, 25A, Supplier Device Package: TO-3P, Td (on/off) @ 25°C: 400ns/500ns, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 25 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 50 A, Power - Max: 150 W.

Weitere Produktangebote NTE3311

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis ohne MwSt
NTE3311 NTE3311 Hersteller : NTE Electronics, Inc. 8nte3311.pdf Trans IGBT Chip N-CH 600V 25A 150W 3-Pin(3+Tab) TO-3P
auf Bestellung 22 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
NTE3311 NTE3311 Hersteller : NTE Electronics, Inc. 8nte3311.pdf Trans IGBT Chip N-CH 600V 25A 150W 3-Pin(3+Tab) TO-3P
auf Bestellung 22 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
NTE3311 Hersteller : NTE Electronics nte3311.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 25A; 150W; TO3P
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 25A
Power dissipation: 150W
Case: TO3P
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 50A
Mounting: THT
Turn-on time: 0.4µs
Turn-off time: 0.5µs
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
NTE3311 Hersteller : NTE Electronics nte3311.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 25A; 150W; TO3P
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 25A
Power dissipation: 150W
Case: TO3P
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 50A
Mounting: THT
Turn-on time: 0.4µs
Turn-off time: 0.5µs
Produkt ist nicht verfügbar