RM2004NE
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Technische Details RM2004NE
Description: MOSFET 2 N-CH 20V 6A SOT23-6, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8nC @ 4.5V, Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-23-6, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 6A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta), Drain to Source Voltage (Vdss): 20V, FET Feature: Standard, FET Type: 2 N-Channel (Dual), Part Status: Active, Packaging: Tape & Reel (TR), Manufacturer: Rectron USA, Package / Case: SOT-23-6, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Power - Max: 1.25W (Ta), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650pF @ 10V.
Preis RM2004NE ab 0 EUR bis 0 EUR
 Hersteller: Rectron USA Description: MOSFET 2 N-CH 20V 6A SOT23-6 Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8nC @ 4.5V Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-6 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 6A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 20V FET Feature: Standard FET Type: 2 N-Channel (Dual) Part Status: Active Packaging: Tape & Reel (TR) Manufacturer: Rectron USA Package / Case: SOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Power - Max: 1.25W (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650pF @ 10V |
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