RM3415
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Technische Details RM3415
Description: MOSFET P-CHANNEL 20V 4A SOT23, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 4A, 4.5V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta), FET Type: P-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950 pF @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Vgs (Max): ±10V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V, Part Status: Active, Supplier Device Package: SOT-23, Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA, Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta).
Preis RM3415 ab 0 EUR bis 0 EUR
 Hersteller: Rectron USA Description: MOSFET P-CHANNEL 20V 4A SOT23 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 4A, 4.5V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950 pF @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Vgs (Max): ±10V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Part Status: Active Supplier Device Package: SOT-23 Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta) |
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