RM4N650IP
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Technische Details RM4N650IP
Description: MOSFET N-CHANNEL 650V 4A TO251, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 2.5A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Packaging: Tube, Package / Case: TO-251-3 Stub Leads, IPak, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 280 pF @ 50 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Vgs (Max): ±30V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Part Status: Active, Supplier Device Package: TO-251, Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 46W (Tc).
Preis RM4N650IP ab 0 EUR bis 0 EUR
 Hersteller: Rectron USA Description: MOSFET N-CHANNEL 650V 4A TO251 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 2.5A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Packaging: Tube Package / Case: TO-251-3 Stub Leads, IPak Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 280 pF @ 50 V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Vgs (Max): ±30V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Supplier Device Package: TO-251 Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA Power Dissipation (Max): 46W (Tc) |
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