RM80N60DF
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Technische Details RM80N60DF
Description: MOSFET N-CHANNEL 60V 80A 8DFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Part Status: Active, Supplier Device Package: 8-DFN (5x6), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 85W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 40A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc), FET Type: N-Channel, Package / Case: 8-PowerVDFN, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4000 pF @ 30 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Mounting Type: Surface Mount.
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RM80N60DF Hersteller: Rectron USA Description: MOSFET N-CHANNEL 60V 80A 8DFN Packaging: Tape & Reel (TR) Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Active Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 85W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 40A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc) FET Type: N-Channel Package / Case: 8-PowerVDFN Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4000 pF @ 30 V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Mounting Type: Surface Mount |
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