S320JR
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Technische Details S320JR
Description: DIODE GEN REV 600V 320A DO205AB, Operating Temperature - Junction: -60°C ~ 180°C, Supplier Device Package: DO-205AB, DO-9, Package / Case: DO-205AB, DO-9, Stud, Mounting Type: Chassis, Stud Mount, Current - Reverse Leakage @ Vr: 10µA @ 600V, Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 300A, Current - Average Rectified (Io): 320A, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600V, Diode Type: Standard, Reverse Polarity.
Preis S320JR ab 0 EUR bis 0 EUR
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S320JR Hersteller: GeneSiC Semiconductor Description: DIODE GEN REV 600V 320A DO205AB Operating Temperature - Junction: -60°C ~ 180°C Supplier Device Package: DO-205AB, DO-9 Package / Case: DO-205AB, DO-9, Stud Mounting Type: Chassis, Stud Mount Current - Reverse Leakage @ Vr: 10µA @ 600V Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 300A Current - Average Rectified (Io): 320A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600V Diode Type: Standard, Reverse Polarity 
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