SI4116DY-T1-E3
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Technische Details SI4116DY-T1-E3
Description: MOSFET N-CH 25V 18A 8-SOIC, FET Type: MOSFET N-Channel, Metal Oxide, Drain to Source Voltage (Vdss): 25V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.6mOhm @ 10A, 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56nC @ 10V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1925pF @ 15V, Power - Max: 5W, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Supplier Device Package: 8-SO.
Preis SI4116DY-T1-E3 ab 0.59 EUR bis 0.92 EUR
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SI4116DY-T1-E3 Hersteller: Vishay Trans MOSFET N-CH 25V 18A 8-Pin SOIC N T/R 
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auf Bestellung 2363 Stücke Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SI4116DY-T1-E3 Hersteller: VISHAY
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35000 Stücke |
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SI4116DYT1E3 Hersteller: VISHAY |
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SI4116DY-T1-E3 Hersteller:
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 Hersteller: Vishay Semiconductors MOSFET 25V Vds 12V Vgs SO-8
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auf Bestellung 4988 Stücke Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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 Hersteller: Vishay Siliconix Description: MOSFET N-CH 25V 18A 8-SOIC FET Type: MOSFET N-Channel, Metal Oxide Drain to Source Voltage (Vdss): 25V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.6mOhm @ 10A, 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56nC @ 10V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1925pF @ 15V Power - Max: 5W Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Supplier Device Package: 8-SO
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