SI4116DY-T1-E3
Informationen zu Lagerverfügbarkeit und Lieferzeiten
auf Bestellung 2500 Stücke
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
auf Bestellung 2500 Stücke

Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Technische Details SI4116DY-T1-E3
Description: MOSFET N-CH 25V 18A 8-SOIC, FET Type: MOSFET N-Channel, Metal Oxide, Drain to Source Voltage (Vdss): 25V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.6mOhm @ 10A, 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56nC @ 10V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1925pF @ 15V, Power - Max: 5W, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Supplier Device Package: 8-SO.
Preis SI4116DY-T1-E3 ab 0.59 EUR bis 0.92 EUR
SI4116DY-T1-E3 Hersteller: Vishay Trans MOSFET N-CH 25V 18A 8-Pin SOIC N T/R ![]() ![]() |
auf Bestellung 2363 Stücke ![]() Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
|
||||||||||||
SI4116DY-T1-E3 Hersteller: VISHAY ![]() ![]() |
35000 Stücke |
|
|
||||||||||||
SI4116DYT1E3 Hersteller: VISHAY |
35000 Stücke |
|
|
||||||||||||
SI4116DY-T1-E3 Hersteller: ![]() ![]() |
30000 Stücke |
|
|
||||||||||||
SI4116DYT1E3 Hersteller: |
35000 Stücke |
|
|
||||||||||||
SI4116DY-T1-E3 Hersteller: Vishay Semiconductors MOSFET 25V Vds 12V Vgs SO-8 ![]() |
auf Bestellung 4988 Stücke ![]() Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
|
|
||||||||||||
SI4116DY-T1-E3 Hersteller: Vishay Siliconix Description: MOSFET N-CH 25V 18A 8-SOIC FET Type: MOSFET N-Channel, Metal Oxide Drain to Source Voltage (Vdss): 25V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.6mOhm @ 10A, 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56nC @ 10V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1925pF @ 15V Power - Max: 5W Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Supplier Device Package: 8-SO ![]() |
Produkt ist nicht verfügbar, Sie können Anfrage senden wenn Sie Produkt in den Warenkorb hinzufügen |
|