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|---|---|
| 16+ | 3.28 EUR |
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Technische Details SI4386DY-T1-GE3 Vishay / Siliconix
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 16A; Idm: 50A; 3.1W, Mounting: SMD, Kind of package: reel; tape, Drain-source voltage: 30V, Drain current: 16A, On-state resistance: 9.5mΩ, Type of transistor: N-MOSFET, Power dissipation: 3.1W, Polarisation: unipolar, Gate charge: 18nC, Technology: TrenchFET®, Kind of channel: enhanced, Gate-source voltage: ±20V, Pulsed drain current: 50A, Case: SO8, Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke.
Weitere Produktangebote SI4386DY-T1-GE3
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt |
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SI4386DY-T1-GE3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
 Description: MOSFET N-CH 30V 11A 8SO |
auf Bestellung 1873 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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SI4386DY-T1-GE3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 30V 11A 8SO |
auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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| SI4386DY-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 16A; Idm: 50A; 3.1W Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Drain-source voltage: 30V Drain current: 16A On-state resistance: 9.5mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 3.1W Polarisation: unipolar Gate charge: 18nC Technology: TrenchFET® Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 50A Case: SO8 Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke |
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| SI4386DY-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 16A; Idm: 50A; 3.1W Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Drain-source voltage: 30V Drain current: 16A On-state resistance: 9.5mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 3.1W Polarisation: unipolar Gate charge: 18nC Technology: TrenchFET® Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 50A Case: SO8 |
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