SI4835DDY-T1-E3

SI4835DDY-T1-E3

SI4835DDY-T1-E3

Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFET -30V Vds 25V Vgs SO-8
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Technische Details SI4835DDY-T1-E3

Description: MOSFET P-CH 30V 13A 8-SOIC, Vgs (Max): ±25V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65nC @ 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 10A, 10V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc), Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Part Status: Active, Packaging: Digi-Reel® (Zusätzliche Zahlung für die Spule beträgt 7 $), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Supplier Device Package: 8-SO, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 5.6W (Tc), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1960pF @ 15V.

Preis SI4835DDY-T1-E3 ab 1.96 EUR bis 3.38 EUR

SI4835DDY-T1-E3
Hersteller: VISHAY
Material: SI4835DDY-T1-E3 SMD P channel transistors
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SI4835DDY-T1-E3
SI4835DDY-T1-E3
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET P-CH 30V 13A 8-Pin SOIC N T/R
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SI4835DDYT1E3
Hersteller: VISHAY

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Hersteller:

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Hersteller: VISHAY
Material: SI4835DDY-T1-E3 SMD P channel transistors
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SI4835DDY-T1-E3
Hersteller: SILI
P-MOSFET 13A 30V 5,6W Trans. SI4835DDY SOP08 TSI4835ddy
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Hersteller: Vishay
Trans MOSFET P-CH 30V 13A 8-Pin SOIC N T/R
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Hersteller: Vishay
Trans MOSFET P-CH 30V 13A 8-Pin SOIC N T/R
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SI4835DDY-T1-E3
SI4835DDY-T1-E3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 30V 13A 8-SOIC
Vgs (Max): ±25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 10A, 10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Part Status: Active
Packaging: Digi-Reel® (Zusätzliche Zahlung für die Spule beträgt 7 $)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Supplier Device Package: 8-SO
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 5.6W (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1960pF @ 15V
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SI4835DDY-T1-E3
SI4835DDY-T1-E3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 30V 13A 8SO
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1960 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 5.6W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
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SI4835DDY-T1-E3
SI4835DDY-T1-E3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 30V 13A 8SO
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 5.6W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1960 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
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