SI4835DDY-T1-E3 Vishay Siliconix
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 30V 13A 8SO
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1960 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 5.6W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
| Anzahl | Preis |
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| 2500+ | 0.87 EUR |
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Technische Details SI4835DDY-T1-E3 Vishay Siliconix
Description: VISHAY - SI4835DDY-T1-E3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 13 A, 0.018 ohm, SOIC, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 13A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2.5W, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm, SVHC: No SVHC (04-Feb-2026).
Weitere Produktangebote SI4835DDY-T1-E3 nach Preis ab 0.83 EUR bis 3.01 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||
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SI4835DDY-T1-E3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 30V 13A 8SO Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 5.6W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1960 pF @ 15 V |
auf Bestellung 4728 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SI4835DDY-T1-E3 | Hersteller : Vishay Semiconductors |
MOSFETs -30V Vds 25V Vgs SO-8 |
auf Bestellung 6002 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SI4835DDY-T1-E3 | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - SI4835DDY-T1-E3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 13 A, 0.018 ohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 13A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.5W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm SVHC: No SVHC (04-Feb-2026) |
auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SI4835DDY-T1-E3 | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - SI4835DDY-T1-E3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 13 A, 0.018 ohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR isCanonical: Y hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 |
auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SI4835DDY-T1-E3 | Hersteller : Siliconix |
P-MOSFET 13A 30V 5,6W SI4835DDY SMD TSI4835ddy Anzahl je Verpackung: 10 Stücke |
auf Bestellung 30 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| SI4835DDYT1E3 | Hersteller : VISHAY |
auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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| SI4835DDY-T1-E3 | Hersteller : Vishay Semiconductor |
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