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SI4835DDY-T1-E3

SI4835DDY-T1-E3 Vishay Siliconix


si4835ddy.pdf Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 30V 13A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 5.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1960 pF @ 15 V
auf Bestellung 2500 Stücke:

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Anzahl Preis
2500+0.87 EUR
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Technische Details SI4835DDY-T1-E3 Vishay Siliconix

Description: MOSFET P-CH 30V 13A 8SO, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 10A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 5.6W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-SOIC, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±25V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1960 pF @ 15 V.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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SI4835DDY-T1-E3 SI4835DDY-T1-E3 Hersteller : VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8C7FA5A9380469&compId=SI4835DDY-T1-E3.pdf?ci_sign=6582884098186cc6279293267068a76a5b99aeb9 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -7.7A; Idm: -50A
Polarisation: unipolar
Drain current: -7.7A
Drain-source voltage: -30V
Power dissipation: 3.6W
Case: SO8
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 65nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Gate-source voltage: ±25V
Pulsed drain current: -50A
On-state resistance: 18mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2949 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
41+1.76 EUR
62+1.17 EUR
107+0.67 EUR
113+0.63 EUR
5000+0.61 EUR
Mindestbestellmenge: 41
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SI4835DDY-T1-E3 SI4835DDY-T1-E3 Hersteller : VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8C7FA5A9380469&compId=SI4835DDY-T1-E3.pdf?ci_sign=6582884098186cc6279293267068a76a5b99aeb9 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -7.7A; Idm: -50A
Polarisation: unipolar
Drain current: -7.7A
Drain-source voltage: -30V
Power dissipation: 3.6W
Case: SO8
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 65nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Gate-source voltage: ±25V
Pulsed drain current: -50A
On-state resistance: 18mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
auf Bestellung 2949 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
41+1.76 EUR
62+1.17 EUR
107+0.67 EUR
113+0.63 EUR
Mindestbestellmenge: 41
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Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2+2.78 EUR
10+1.9 EUR
100+1.3 EUR
500+1.05 EUR
1000+0.95 EUR
2500+0.85 EUR
Mindestbestellmenge: 2
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SI4835DDY-T1-E3 SI4835DDY-T1-E3 Hersteller : Vishay Siliconix si4835ddy.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 13A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 5.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1960 pF @ 15 V
auf Bestellung 4728 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
6+2.94 EUR
10+1.96 EUR
100+1.34 EUR
500+1.06 EUR
1000+0.97 EUR
Mindestbestellmenge: 6
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SI4835DDY-T1-E3 Hersteller : Siliconix si4835ddy.pdf P-MOSFET 13A 30V 5,6W SI4835DDY SMD TSI4835ddy
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
20+1.72 EUR
Mindestbestellmenge: 20
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SI4835DDYT1E3 Hersteller : VISHAY
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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