SI7540ADP-T1-GE3

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Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SI7540ADP-T1-GE3 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 8 A, 0.0115 ohm, PowerPAK SO
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)

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Technische Details SI7540ADP-T1-GE3

Description: MOSFET N/P-CH POWERPAK8, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48nC @ 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 12A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A, 9A, Drain to Source Voltage (Vdss): 20V, FET Type: N and P-Channel, Part Status: Active, Packaging: Digi-Reel® (Zusätzliche Zahlung für die Spule beträgt 7 $), Base Part Number: SI7540, Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual, Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C, Power - Max: 3.5W, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1310pF @ 10V.

Preis SI7540ADP-T1-GE3 ab 0 EUR bis 0 EUR

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Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N/P-CH Si 20V 12A/9A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
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Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SI7540ADP-T1-GE3 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 8 A, 0.0115 ohm, PowerPAK SO
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20
Dauer-Drainstrom Id: 8
Rds(on)-Messspannung Vgs: 4.5
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 1.6
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: TrenchFET
Wandlerpolarität: Komplementärer n- und p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0115
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 1.4
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
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Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N/P-CH Si 20V 12A/9A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
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Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFET -20V Vds 12V Vgs PowerPAK SO-8
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Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N/P-CH Si 20V 12A/9A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
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Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N/P-CH POWERPAK8
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 12A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1310pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A, 9A
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
FET Type: N and P-Channel
Power - Max: 3.5W
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Packaging: Cut Tape (CT)
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Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N/P-CH POWERPAK8
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 12A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A, 9A
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
FET Type: N and P-Channel
Part Status: Active
Packaging: Digi-Reel® (Zusätzliche Zahlung für die Spule beträgt 7 $)
Base Part Number: SI7540
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Power - Max: 3.5W
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1310pF @ 10V
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Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N/P-CH POWERPAK8
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 12A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1310pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A, 9A
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
FET Type: N and P-Channel
Power - Max: 3.5W
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Packaging: Tape & Reel (TR)
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