SI7848BDP-T1-E3

SI7848BDP-T1-E3

Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 40V 16A 8-Pin PowerPAK SO T/R
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Technische Details SI7848BDP-T1-E3

Description: MOSFET N-CH 40V 47A PPAK SO-8, Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 16A, 10V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc), Drain to Source Voltage (Vdss): 40V, Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Part Status: Active, Packaging: Digi-Reel® (Zusätzliche Zahlung für die Spule beträgt 7 $), Base Part Number: SI7848, Package / Case: PowerPAK® SO-8, Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Power Dissipation (Max): 4.2W (Ta), 36W (Tc), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000pF @ 20V, Vgs (Max): ±20V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50nC @ 10V.

Preis SI7848BDP-T1-E3 ab 1.54 EUR bis 2.3 EUR

SI7848BDP-T1-E3
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Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 40V 16A 8-Pin PowerPAK SO T/R
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Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 40V 16A 8-Pin PowerPAK SO T/R
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Hersteller: VISHAY
Material: SI7848BDP-T1-E3 SMD N channel transistors
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Hersteller: VISHAY
Material: SI7848BDP-T1-E3 SMD N channel transistors
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Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFET 40V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
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Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 40V 16A 8-Pin PowerPAK SO T/R
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SI7848BDP-T1-E3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 40V 47A PPAK SO-8
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 4.2W (Ta), 36W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 16A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
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SI7848BDP-T1-E3
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Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 40V 47A PPAK SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 16A, 10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Part Status: Active
Packaging: Digi-Reel® (Zusätzliche Zahlung für die Spule beträgt 7 $)
Base Part Number: SI7848
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power Dissipation (Max): 4.2W (Ta), 36W (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000pF @ 20V
Vgs (Max): ±20V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50nC @ 10V
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Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 40V 47A PPAK SO-8
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 4.2W (Ta), 36W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 16A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc)
FET Type: N-Channel
Packaging: Cut Tape (CT)
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