SQ2389ES-T1_GE3 Vishay Siliconix
Hersteller: Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 40V 4.1A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 94mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 420 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 3000+ | 0.41 EUR |
| 6000+ | 0.39 EUR |
| 9000+ | 0.38 EUR |
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details SQ2389ES-T1_GE3 Vishay Siliconix
Description: VISHAY - SQ2389ES-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 4.1 A, 0.094 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 4.1A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 3.3W, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: TrenchFET, productTraceability: No, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.094ohm, SVHC: No SVHC (10-Jun-2022).
Weitere Produktangebote SQ2389ES-T1_GE3 nach Preis ab 0.34 EUR bis 1 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SQ2389ES-T1_GE3 | Hersteller : VISHAY |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -4.1A; Idm: -16A; 1W; SOT23 Case: SOT23 Drain-source voltage: -40V Drain current: -4.1A On-state resistance: 169mΩ Type of transistor: P-MOSFET Application: automotive industry Power dissipation: 1W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 12nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: -16A Mounting: SMD Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 2003 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
|
|
SQ2389ES-T1_GE3 | Hersteller : VISHAY |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -4.1A; Idm: -16A; 1W; SOT23 Case: SOT23 Drain-source voltage: -40V Drain current: -4.1A On-state resistance: 169mΩ Type of transistor: P-MOSFET Application: automotive industry Power dissipation: 1W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 12nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: -16A Mounting: SMD |
auf Bestellung 2003 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
|
|
SQ2389ES-T1_GE3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 40V 4.1A SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 94mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 420 pF @ 20 V Qualification: AEC-Q101 |
auf Bestellung 10669 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
 |
SQ2389ES-T1_GE3 | Hersteller : Vishay / Siliconix |
MOSFETs -40V Vds +/-20V Vgs AEC-Q101 Qualified |
auf Bestellung 24605 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
 |
SQ2389ES-T1_GE3 | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - SQ2389ES-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 4.1 A, 0.094 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 4.1A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 3.3W Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TrenchFET productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.094ohm SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
auf Bestellung 103818 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|||||||||||||||||
 |
SQ2389ES-T1_GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 40V 4.1A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R |
auf Bestellung 15000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |