SQ2389ES-T1_GE3
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Technische Details SQ2389ES-T1_GE3
Description: MOSFET P-CHAN 40V SO23, Base Part Number: SQ2389, Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236), Power Dissipation (Max): 3W (Tc), Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 94mOhm @ 10A, 10V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 420pF @ 20V, Vgs (Max): ±20V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A (Tc), Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12nC @ 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Drain to Source Voltage (Vdss): 40V, Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Packaging: Digi-Reel® (Zusätzliche Zahlung für die Spule beträgt 7 $), Part Status: Active.
Preis SQ2389ES-T1_GE3 ab 0 EUR bis 0 EUR
 Hersteller: Vishay Trans MOSFET P-CH 40V 4.1A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R 
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SQ2389ES-T1_GE3 Hersteller: SQ2389ES MOSFET -40V Vds +/-20V Vgs AEC-Q101 Qualified
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SQ2389ES-T1_GE3 Hersteller: VISHAY Material: SQ2389ES-T1-GE3 SMD P channel transistors
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 Hersteller: Vishay / Siliconix MOSFET -40V Vds +/-20V Vgs AEC-Q101 Qualified
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auf Bestellung 68705 Stücke  Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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 Hersteller: Vishay Siliconix Description: MOSFET P-CHAN 40V SO23 Base Part Number: SQ2389 Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Power Dissipation (Max): 3W (Tc) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 94mOhm @ 10A, 10V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 420pF @ 20V Vgs (Max): ±20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A (Tc) Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Packaging: Digi-Reel® (Zusätzliche Zahlung für die Spule beträgt 7 $) Part Status: Active
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auf Bestellung 24321 Stücke Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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 Hersteller: Vishay Siliconix Description: MOSFET P-CH 40V 4.1A SOT23-3 Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Vgs (Max): ±20V Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Power Dissipation (Max): 3W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 94mOhm @ 10A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A (Tc) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Packaging: Cut Tape (CT) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 420 pF @ 20 V
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auf Bestellung 9 Stücke Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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Hersteller: Vishay Siliconix Description: MOSFET P-CH 40V 4.1A SOT23-3 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 420 pF @ 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Active Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Power Dissipation (Max): 3W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 94mOhm @ 10A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A (Tc) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount
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