SQ2389ES-T1_GE3

SQ2389ES-T1_GE3

Hersteller: VISHAY
Material: SQ2389ES-T1-GE3 SMD P channel transistors
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Technische Details SQ2389ES-T1_GE3

Description: MOSFET P-CHAN 40V SO23, Base Part Number: SQ2389, Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236), Power Dissipation (Max): 3W (Tc), Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 94mOhm @ 10A, 10V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 420pF @ 20V, Vgs (Max): ±20V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A (Tc), Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12nC @ 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Drain to Source Voltage (Vdss): 40V, Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Packaging: Digi-Reel® (Zusätzliche Zahlung für die Spule beträgt 7 $), Part Status: Active.

Preis SQ2389ES-T1_GE3 ab 0 EUR bis 0 EUR

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SQ2389ES-T1_GE3
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET P-CH 40V 4.1A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
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SQ2389ES-T1_GE3
Hersteller:
SQ2389ES MOSFET -40V Vds +/-20V Vgs AEC-Q101 Qualified
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Hersteller: VISHAY
Material: SQ2389ES-T1-GE3 SMD P channel transistors
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SQ2389ES-T1_GE3
SQ2389ES-T1_GE3
Hersteller: Vishay / Siliconix
MOSFET -40V Vds +/-20V Vgs AEC-Q101 Qualified
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Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CHAN 40V SO23
Base Part Number: SQ2389
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Power Dissipation (Max): 3W (Tc)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 94mOhm @ 10A, 10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 420pF @ 20V
Vgs (Max): ±20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A (Tc)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Packaging: Digi-Reel® (Zusätzliche Zahlung für die Spule beträgt 7 $)
Part Status: Active
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SQ2389ES-T1_GE3
SQ2389ES-T1_GE3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 40V 4.1A SOT23-3
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 94mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A (Tc)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 420 pF @ 20 V
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SQ2389ES-T1_GE3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 40V 4.1A SOT23-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 420 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 94mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
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