A1C15S12M3-F STMICROELECTRONICS
Hersteller: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - A1C15S12M3-F - IGBT-Modul, Dreiphasen-CIB [Converter + Inverter + Brake; Wandler + Wechselrichter + Bremse]
tariffCode: 85415000
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: Trench/Feldstop
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.95V
Dauer-Kollektorstrom: 15A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.95V
Verlustleistung Pd: 142.8W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 142.8W
Bauform - Transistor: Module
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Produktpalette: ACEPACK 1 M
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Dreiphasen-CIB [Converter + Inverter + Brake; Wandler + Wechselrichter + Bremse]
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
DC-Kollektorstrom: 15A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: STMICROELECTRONICS - A1C15S12M3-F - IGBT-Modul, Dreiphasen-CIB [Converter + Inverter + Brake; Wandler + Wechselrichter + Bremse]
tariffCode: 85415000
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: Trench/Feldstop
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.95V
Dauer-Kollektorstrom: 15A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.95V
Verlustleistung Pd: 142.8W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 142.8W
Bauform - Transistor: Module
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Produktpalette: ACEPACK 1 M
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Dreiphasen-CIB [Converter + Inverter + Brake; Wandler + Wechselrichter + Bremse]
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
DC-Kollektorstrom: 15A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 3 Stücke:
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Technische Details A1C15S12M3-F STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - A1C15S12M3-F - IGBT-Modul, Dreiphasen-CIB [Converter + Inverter + Brake; Wandler + Wechselrichter + Bremse], tariffCode: 85415000, Transistormontage: Platte, rohsCompliant: YES, IGBT-Technologie: Trench/Feldstop, Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.95V, Dauer-Kollektorstrom: 15A, usEccn: EAR99, IGBT-Anschluss: Einpressmontage, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.95V, Verlustleistung Pd: 142.8W, euEccn: NLR, Verlustleistung: 142.8W, Bauform - Transistor: Module, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV, Produktpalette: ACEPACK 1 M, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV, IGBT-Konfiguration: Dreiphasen-CIB [Converter + Inverter + Brake; Wandler + Wechselrichter + Bremse], productTraceability: No, Wandlerpolarität: n-Kanal, DC-Kollektorstrom: 15A, Betriebstemperatur, max.: 150°C.
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Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt |
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A1C15S12M3-F | Hersteller : STMicroelectronics | IGBT Modules PTD NEW MAT & PWR SOLUTION |
auf Bestellung 19 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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A1C15S12M3-F | Hersteller : STMicroelectronics | Trans IGBT Module N-CH 1200V 15A 142800mW 23-Pin ACEPACK-1 Tray |
Produkt ist nicht verfügbar |
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A1C15S12M3-F | Hersteller : STMicroelectronics |
Description: IGBT MOD 1200V 15A ACEPACK1 Packaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Three Phase Bridge Rectifier Configuration: Three Phase Inverter with Brake Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 15A NTC Thermistor: Yes Supplier Device Package: ACEPACK™ 1 IGBT Type: Trench Field Stop Current - Collector (Ic) (Max): 15 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Power - Max: 142.8 W Current - Collector Cutoff (Max): 100 µA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 985 pF @ 25 V |
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