A1P50S65M2 STMicroelectronics
Hersteller: STMicroelectronicsIGBT Modules ACEPACK 1 sixpack topology, 650 V, 50 A trench gate field-stop IGBT M series, so
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| Anzahl | Preis |
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| 1+ | 88.48 EUR |
| 10+ | 82.56 EUR |
| 18+ | 79.08 EUR |
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Technische Details A1P50S65M2 STMicroelectronics
Description: STMICROELECTRONICS - A1P50S65M2 - IGBT-Modul, Sechserpack [Vollbrücke], 50 A, 1.95 V, 208 W, 175 °C, Modul, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Platte, rohsCompliant: YES, IGBT-Technologie: Trench/Feldstop, Sperrschichttemperatur Tj, max.: 175°C, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.95V, Dauer-Kollektorstrom: 50A, usEccn: EAR99, IGBT-Anschluss: Lötanschluss, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.95V, Verlustleistung Pd: 208W, euEccn: NLR, Verlustleistung: 208W, Bauform - Transistor: Modul, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 650V, Produktpalette: ACEPACK 1, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V, IGBT-Konfiguration: Sechserpack [Vollbrücke], productTraceability: No, DC-Kollektorstrom: 50A, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
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A1P50S65M2 | Hersteller : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - A1P50S65M2 - IGBT-Modul, Sechserpack [Vollbrücke], 50 A, 1.95 V, 208 W, 175 °C, Modul tariffCode: 85412900 Transistormontage: Platte rohsCompliant: YES IGBT-Technologie: Trench/Feldstop Sperrschichttemperatur Tj, max.: 175°C hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.95V Dauer-Kollektorstrom: 50A usEccn: EAR99 IGBT-Anschluss: Lötanschluss Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.95V Verlustleistung Pd: 208W euEccn: NLR Verlustleistung: 208W Bauform - Transistor: Modul Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 650V Produktpalette: ACEPACK 1 Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V IGBT-Konfiguration: Sechserpack [Vollbrücke] productTraceability: No DC-Kollektorstrom: 50A Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 4 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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A1P50S65M2 | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans IGBT Module N-CH 650V 50A 208000mW 22-Pin ACEPACK-1 Tray |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| A1P50S65M2 | Hersteller : STMicroelectronics |
A1P50S65M2 IGBT modules |
Produkt ist nicht verfügbar |
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A1P50S65M2 | Hersteller : STMicroelectronics |
Description: IGBT MOD 650V 50A 208W ACEPACK1 Packaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: Three Phase Inverter Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 50A NTC Thermistor: Yes Supplier Device Package: ACEPACK™ 1 IGBT Type: Trench Field Stop Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 50 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Power - Max: 208 W Current - Collector Cutoff (Max): 100 µA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 4.15 nF @ 25 V |
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