A1P50S65M2 STMicroelectronics
Hersteller: STMicroelectronics
IGBT Modules ACEPACK 1 sixpack topology, 650 V, 50 A trench gate field-stop IGBT M series, so
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 105.29 EUR |
| 10+ | 98.25 EUR |
| 18+ | 94.11 EUR |
| 108+ | 88.79 EUR |
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Technische Details A1P50S65M2 STMicroelectronics
Description: STMICROELECTRONICS - A1P50S65M2 - IGBT-Modul, Sechserpack [Vollbrücke], 50 A, 1.95 V, 208 W, 175 °C, Modul, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Platte, rohsCompliant: YES, IGBT-Technologie: Trench/Feldstop, Sperrschichttemperatur Tj, max.: 175°C, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.95V, Dauer-Kollektorstrom: 50A, usEccn: EAR99, IGBT-Anschluss: Lötanschluss, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.95V, Verlustleistung Pd: 208W, euEccn: NLR, Verlustleistung: 208W, Bauform - Transistor: Modul, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 650V, Produktpalette: ACEPACK 1, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V, IGBT-Konfiguration: Sechserpack [Vollbrücke], productTraceability: No, DC-Kollektorstrom: 50A, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Weitere Produktangebote A1P50S65M2 nach Preis ab 114.25 EUR bis 114.25 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||
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A1P50S65M2 | STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - A1P50S65M2 - IGBT-Modul, Sechserpack [Vollbrücke], 50 A, 1.95 V, 208 W, 175 °C, Modul tariffCode: 85412900 Transistormontage: Platte rohsCompliant: YES IGBT-Technologie: Trench/Feldstop Sperrschichttemperatur Tj, max.: 175°C hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.95V Dauer-Kollektorstrom: 50A usEccn: EAR99 IGBT-Anschluss: Lötanschluss Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.95V Verlustleistung Pd: 208W euEccn: NLR Verlustleistung: 208W Bauform - Transistor: Modul Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 650V Produktpalette: ACEPACK 1 Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V IGBT-Konfiguration: Sechserpack [Vollbrücke] productTraceability: No DC-Kollektorstrom: 50A Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 4 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| A1P50S65M2 |
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Hersteller: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - A1P50S65M2 - IGBT-Modul, Sechserpack [Vollbrücke], 50 A, 1.95 V, 208 W, 175 °C, Modul
tariffCode: 85412900
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IGBT-Technologie: Trench/Feldstop
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 175°C
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IGBT-Anschluss: Lötanschluss
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Verlustleistung Pd: 208W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 208W
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 650V
Produktpalette: ACEPACK 1
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
IGBT-Konfiguration: Sechserpack [Vollbrücke]
productTraceability: No
DC-Kollektorstrom: 50A
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: STMICROELECTRONICS - A1P50S65M2 - IGBT-Modul, Sechserpack [Vollbrücke], 50 A, 1.95 V, 208 W, 175 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: Trench/Feldstop
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 175°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.95V
Dauer-Kollektorstrom: 50A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Lötanschluss
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.95V
Verlustleistung Pd: 208W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 208W
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 650V
Produktpalette: ACEPACK 1
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
IGBT-Konfiguration: Sechserpack [Vollbrücke]
productTraceability: No
DC-Kollektorstrom: 50A
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 4 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
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| 3+ | 114.25 EUR |