A2G22S251-01SR3 NXP Semiconductors
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Technische Details A2G22S251-01SR3 NXP Semiconductors
Description: AIRFAST RF POWER GAN TRANSISTOR, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: NI-400S-2S, Mounting Type: Surface Mount, Frequency: 1.805GHz ~ 2.2GHz, Power - Output: 52dBm, Gain: 17.7dB, Technology: LDMOS, Supplier Device Package: NI-400S-2S, Part Status: Active, Voltage - Rated: 125 V, Voltage - Test: 48 V, Current - Test: 200 mA.
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt |
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A2G22S251-01SR3 | Hersteller : NXP USA Inc. |
 Description: AIRFAST RF POWER GAN TRANSISTORPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: NI-400S-2S Mounting Type: Surface Mount Frequency: 1.805GHz ~ 2.2GHz Power - Output: 52dBm Gain: 17.7dB Technology: LDMOS Supplier Device Package: NI-400S-2S Part Status: Active Voltage - Rated: 125 V Voltage - Test: 48 V Current - Test: 200 mA |
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| A2G22S251-01SR3 | Hersteller : NXP Semiconductors |
RF Amplifier Airfast RF Power GaN Transistor, 1805-2200 MHz, 48 W Avg., 48 V |
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