A2G35S160-01SR3 NXP USA Inc.
Hersteller: NXP USA Inc.Description: AIRFAST RF POWER GAN TRANSISTOR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: NI-400S-2S
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 3.4GHz ~ 3.6GHz
Power - Output: 51dBm
Gain: 15.7dB
Technology: LDMOS
Supplier Device Package: NI-400S-2S
Part Status: Active
Voltage - Rated: 125 V
Voltage - Test: 48 V
Current - Test: 190 mA
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| Anzahl | Preis ohne MwSt |
|---|---|
| 1+ | 340.05 EUR |
| 10+ | 323.97 EUR |
| 25+ | 317.08 EUR |
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Technische Details A2G35S160-01SR3 NXP USA Inc.
Description: AIRFAST RF POWER GAN TRANSISTOR, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: NI-400S-2S, Mounting Type: Surface Mount, Frequency: 3.4GHz ~ 3.6GHz, Power - Output: 51dBm, Gain: 15.7dB, Technology: LDMOS, Supplier Device Package: NI-400S-2S, Part Status: Active, Voltage - Rated: 125 V, Voltage - Test: 48 V, Current - Test: 190 mA.
Weitere Produktangebote A2G35S160-01SR3
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt |
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A2G35S160-01SR3 | Hersteller : NXP Semiconductors |
Trans RF FET 125V 3-Pin NI-400S-2S T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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A2G35S160-01SR3 | Hersteller : NXP Semiconductors |
Trans RF FET 125V 3-Pin NI-400S-2S T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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A2G35S160-01SR3 | Hersteller : NXP USA Inc. |
Description: AIRFAST RF POWER GAN TRANSISTOR Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: NI-400S-2S Mounting Type: Surface Mount Frequency: 3.4GHz ~ 3.6GHz Power - Output: 51dBm Gain: 15.7dB Technology: LDMOS Supplier Device Package: NI-400S-2S Part Status: Active Voltage - Rated: 125 V Voltage - Test: 48 V Current - Test: 190 mA |
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| A2G35S160-01SR3 | Hersteller : NXP / Freescale |
RF Amplifier Airfast RF Power GaN Transistor, 3400-3800 MHz, 32 W AVG., 48 V |
Produkt ist nicht verfügbar |