A2G35S160-01SR3 NXP USA Inc.
Hersteller: NXP USA Inc.
Description: RF MOSFET GAN 48V NI400
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: NI-400S-2S
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 3.4GHz ~ 3.6GHz
Power - Output: 51dBm
Gain: 15.7dB
Technology: GaN
Supplier Device Package: NI-400S-2S
Part Status: Active
Voltage - Rated: 125 V
Voltage - Test: 48 V
Current - Test: 190 mA
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Technische Details A2G35S160-01SR3 NXP USA Inc.
Description: RF MOSFET GAN 48V NI400, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: NI-400S-2S, Mounting Type: Surface Mount, Frequency: 3.4GHz ~ 3.6GHz, Power - Output: 51dBm, Gain: 15.7dB, Technology: GaN, Supplier Device Package: NI-400S-2S, Part Status: Active, Voltage - Rated: 125 V, Voltage - Test: 48 V, Current - Test: 190 mA.
Weitere Produktangebote A2G35S160-01SR3
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Preis |
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A2G35S160-01SR3 | NXP USA Inc. |
Description: RF MOSFET GAN 48V NI400 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: NI-400S-2S Mounting Type: Surface Mount Frequency: 3.4GHz ~ 3.6GHz Power - Output: 51dBm Gain: 15.7dB Technology: GaN Supplier Device Package: NI-400S-2S Part Status: Active Voltage - Rated: 125 V Voltage - Test: 48 V Current - Test: 190 mA |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| A2G35S160-01SR3 | NXP / Freescale |
RF Amplifier Airfast RF Power GaN Transistor, 3400-3800 MHz, 32 W AVG., 48 V |
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| A2G35S160-01SR3 |
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Hersteller: NXP USA Inc.
Description: RF MOSFET GAN 48V NI400
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: NI-400S-2S
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 3.4GHz ~ 3.6GHz
Power - Output: 51dBm
Gain: 15.7dB
Technology: GaN
Supplier Device Package: NI-400S-2S
Part Status: Active
Voltage - Rated: 125 V
Voltage - Test: 48 V
Current - Test: 190 mA
Description: RF MOSFET GAN 48V NI400
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: NI-400S-2S
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 3.4GHz ~ 3.6GHz
Power - Output: 51dBm
Gain: 15.7dB
Technology: GaN
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Part Status: Active
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| A2G35S160-01SR3 |
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Hersteller: NXP / Freescale
RF Amplifier Airfast RF Power GaN Transistor, 3400-3800 MHz, 32 W AVG., 48 V
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