A2G35S200-01SR3 NXP Semiconductors
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Technische Details A2G35S200-01SR3 NXP Semiconductors
Description: RF MOSFET GAN HEMT 48V NI400, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: NI-400S-2S, Mounting Type: Surface Mount, Frequency: 3.4GHz ~ 3.6GHz, Power - Output: 180W, Gain: 16.1dB, Technology: GaN HEMT, Supplier Device Package: NI-400S-2S, Part Status: Active, Voltage - Rated: 125 V, Voltage - Test: 48 V, Current - Test: 291 mA.
Weitere Produktangebote A2G35S200-01SR3 nach Preis ab 271 EUR bis 334.1 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||
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A2G35S200-01SR3 | NXP USA Inc. |
 Description: RF MOSFET GAN HEMT 48V NI400Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: NI-400S-2S Mounting Type: Surface Mount Frequency: 3.4GHz ~ 3.6GHz Power - Output: 180W Gain: 16.1dB Technology: GaN HEMT Supplier Device Package: NI-400S-2S Part Status: Active Voltage - Rated: 125 V Voltage - Test: 48 V Current - Test: 291 mA |
auf Bestellung 74 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| A2G35S200-01SR3 |
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Hersteller: NXP USA Inc.
Description: RF MOSFET GAN HEMT 48V NI400
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: NI-400S-2S
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 3.4GHz ~ 3.6GHz
Power - Output: 180W
Gain: 16.1dB
Technology: GaN HEMT
Supplier Device Package: NI-400S-2S
Part Status: Active
Voltage - Rated: 125 V
Voltage - Test: 48 V
Current - Test: 291 mA
Description: RF MOSFET GAN HEMT 48V NI400
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: NI-400S-2S
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 3.4GHz ~ 3.6GHz
Power - Output: 180W
Gain: 16.1dB
Technology: GaN HEMT
Supplier Device Package: NI-400S-2S
Part Status: Active
Voltage - Rated: 125 V
Voltage - Test: 48 V
Current - Test: 291 mA
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| 1+ | 334.1 EUR |
| 10+ | 283.6 EUR |
| 25+ | 271 EUR |