A2G35S200-01SR3 NXP Semiconductors
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| Anzahl | Preis |
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Technische Details A2G35S200-01SR3 NXP Semiconductors
Description: RF MOSFET GAN HEMT 48V NI400, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: NI-400S-2S, Mounting Type: Surface Mount, Frequency: 3.4GHz ~ 3.6GHz, Power - Output: 180W, Gain: 16.1dB, Technology: GaN HEMT, Supplier Device Package: NI-400S-2S, Part Status: Active, Voltage - Rated: 125 V, Voltage - Test: 48 V, Current - Test: 291 mA.
Weitere Produktangebote A2G35S200-01SR3 nach Preis ab 212.30 EUR bis 227.69 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||
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A2G35S200-01SR3 | Hersteller : NXP USA Inc. |
 Description: RF MOSFET GAN HEMT 48V NI400Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: NI-400S-2S Mounting Type: Surface Mount Frequency: 3.4GHz ~ 3.6GHz Power - Output: 180W Gain: 16.1dB Technology: GaN HEMT Supplier Device Package: NI-400S-2S Part Status: Active Voltage - Rated: 125 V Voltage - Test: 48 V Current - Test: 291 mA |
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A2G35S200-01SR3 | Hersteller : NXP Semiconductors |
Trans RF FET 125V 3-Pin NI-400S-2S T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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A2G35S200-01SR3 | Hersteller : NXP Semiconductors |
Trans RF FET 125V 3-Pin NI-400S-2S T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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A2G35S200-01SR3 | Hersteller : NXP USA Inc. |
Description: RF MOSFET GAN HEMT 48V NI400 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: NI-400S-2S Mounting Type: Surface Mount Frequency: 3.4GHz ~ 3.6GHz Power - Output: 180W Gain: 16.1dB Technology: GaN HEMT Supplier Device Package: NI-400S-2S Part Status: Active Voltage - Rated: 125 V Voltage - Test: 48 V Current - Test: 291 mA |
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| A2G35S200-01SR3 | Hersteller : NXP Semiconductors |
RF Amplifier Airfast RF Power GaN Transistor, 3400-3600 MHz, 40 W AVG., 48 V |
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