A2G35S200-01SR3 NXP USA Inc.
Hersteller: NXP USA Inc.
Description: RF MOSFET GAN HEMT 48V NI400
Current - Test: 291 mA
Voltage - Test: 48 V
Voltage - Rated: 125 V
Part Status: Active
Supplier Device Package: NI-400S-2S
Technology: GaN HEMT
Gain: 16.1dB
Power - Output: 180W
Frequency: 3.4GHz ~ 3.6GHz
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: NI-400S-2S
Packaging: Cut Tape (CT)
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Technische Details A2G35S200-01SR3 NXP USA Inc.
Description: RF MOSFET GAN HEMT 48V NI400, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: NI-400S-2S, Mounting Type: Surface Mount, Frequency: 3.4GHz ~ 3.6GHz, Power - Output: 180W, Gain: 16.1dB, Technology: GaN HEMT, Supplier Device Package: NI-400S-2S, Part Status: Active, Voltage - Rated: 125 V, Voltage - Test: 48 V, Current - Test: 291 mA.
Weitere Produktangebote A2G35S200-01SR3
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Preis |
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A2G35S200-01SR3 | NXP USA Inc. |
Description: RF MOSFET GAN HEMT 48V NI400 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: NI-400S-2S Mounting Type: Surface Mount Frequency: 3.4GHz ~ 3.6GHz Power - Output: 180W Gain: 16.1dB Technology: GaN HEMT Supplier Device Package: NI-400S-2S Part Status: Active Voltage - Rated: 125 V Voltage - Test: 48 V Current - Test: 291 mA |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| A2G35S200-01SR3 | NXP Semiconductors |
RF Amplifier Airfast RF Power GaN Transistor, 3400-3600 MHz, 40 W AVG., 48 V |
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| A2G35S200-01SR3 |
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Hersteller: NXP USA Inc.
Description: RF MOSFET GAN HEMT 48V NI400
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: NI-400S-2S
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 3.4GHz ~ 3.6GHz
Power - Output: 180W
Gain: 16.1dB
Technology: GaN HEMT
Supplier Device Package: NI-400S-2S
Part Status: Active
Voltage - Rated: 125 V
Voltage - Test: 48 V
Current - Test: 291 mA
Description: RF MOSFET GAN HEMT 48V NI400
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: NI-400S-2S
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 3.4GHz ~ 3.6GHz
Power - Output: 180W
Gain: 16.1dB
Technology: GaN HEMT
Supplier Device Package: NI-400S-2S
Part Status: Active
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Voltage - Test: 48 V
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RF Amplifier Airfast RF Power GaN Transistor, 3400-3600 MHz, 40 W AVG., 48 V
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