A2I08H040GNR1 NXP Semiconductors
Hersteller: NXP SemiconductorsRF Amp Module Dual Power Amp 960MHz 32V 17-Pin(15+2Tab) TO-270WBG EP T/R
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Technische Details A2I08H040GNR1 NXP Semiconductors
Description: RF MOSFET LDMOS 28V TO270-15, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-270-15 Variant, Gull Wing, Mounting Type: Surface Mount, Frequency: 920MHz, Configuration: Dual, Power - Output: 9W, Gain: 30.7dB, Technology: LDMOS, Supplier Device Package: TO-270WBG-15, Voltage - Rated: 65 V, Voltage - Test: 28 V, Current - Test: 25 mA.
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt |
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A2I08H040GNR1 | Hersteller : NXP USA Inc. |
Description: RF MOSFET LDMOS 28V TO270-15 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-270-15 Variant, Gull Wing Mounting Type: Surface Mount Frequency: 920MHz Configuration: Dual Power - Output: 9W Gain: 30.7dB Technology: LDMOS Supplier Device Package: TO-270WBG-15 Voltage - Rated: 65 V Voltage - Test: 28 V Current - Test: 25 mA |
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A2I08H040GNR1 | Hersteller : NXP Semiconductors |
RF Amplifier Airfast RF LDMOS Wideband Integrated Power Amplifier, 728-960 MHz, 9 W AVG., 28 V |
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