Technische Details A2I20H060NR1 Freescale Semiconductor - NXP
RF Amplifier Airfast RF LDMOS Wideband Integrated Power Amplifier, 1805-2170 MHz, 12 W Avg., 28 V.
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde |
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A2I20H060NR1 | NXP Semiconductors |
RF Amplifier Airfast RF LDMOS Wideband Integrated Power Amplifier, 1805-2170 MHz, 12 W Avg., 28 V |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| A2I20H060NR1 |
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Hersteller: NXP Semiconductors
RF Amplifier Airfast RF LDMOS Wideband Integrated Power Amplifier, 1805-2170 MHz, 12 W Avg., 28 V
RF Amplifier Airfast RF LDMOS Wideband Integrated Power Amplifier, 1805-2170 MHz, 12 W Avg., 28 V
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