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A2T18H410-24SR6 NXP Semiconductors


22059231572663a2t18h410-24s.pdf Hersteller: NXP Semiconductors
RF Power LDMOS Transistor
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Technische Details A2T18H410-24SR6 NXP Semiconductors

Description: RF MOSFET LDMOS 28V NI1230, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: NI-1230-4LS2L, Mounting Type: Chassis Mount, Frequency: 1.81GHz, Configuration: Dual, Power - Output: 71W, Gain: 17.4dB, Technology: LDMOS, Supplier Device Package: NI-1230-4LS2L, Voltage - Rated: 65 V, Voltage - Test: 28 V, Current - Test: 800 mA.

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A2T18H410-24SR6 A2T18H410-24SR6 Hersteller : NXP USA Inc. RF_ Gde.pdf Description: RF MOSFET LDMOS 28V NI1230
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: NI-1230-4LS2L
Mounting Type: Chassis Mount
Frequency: 1.81GHz
Configuration: Dual
Power - Output: 71W
Gain: 17.4dB
Technology: LDMOS
Supplier Device Package: NI-1230-4LS2L
Voltage - Rated: 65 V
Voltage - Test: 28 V
Current - Test: 800 mA
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A2T18H410-24SR6 Hersteller : NXP Semiconductors A2T18H410-24S-1125894.pdf RF MOSFET Transistors Airfast RF Power LDMOS Transistor 1805-1880 MHz, 71 W Avg., 28 V
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