A2T18H455W23NR6 NXP Semiconductors
Hersteller: NXP SemiconductorsDescription: RF MOSFET LDMOS 31.5V OM1230-42
Packaging: Bulk
Package / Case: OM-1230-4L2S
Current Rating (Amps): 10µA
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 1.805GHz ~ 1.88GHz
Configuration: N-Channel
Power - Output: 87W
Gain: 14.5dB @ 1.805GHz
Technology: LDMOS
Supplier Device Package: OM-1230-4L2S
Part Status: Obsolete
Voltage - Rated: 65 V
Voltage - Test: 31.5 V
Current - Test: 1.08 A
auf Bestellung 153 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
| Anzahl | Preis ohne MwSt |
|---|---|
| 2+ | 422.04 EUR |
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details A2T18H455W23NR6 NXP Semiconductors
Description: RF MOSFET LDMOS 31.5V OM1230-42, Packaging: Bulk, Package / Case: OM-1230-4L2S, Current Rating (Amps): 10µA, Mounting Type: Surface Mount, Frequency: 1.805GHz ~ 1.88GHz, Configuration: N-Channel, Power - Output: 87W, Gain: 14.5dB @ 1.805GHz, Technology: LDMOS, Supplier Device Package: OM-1230-4L2S, Part Status: Obsolete, Voltage - Rated: 65 V, Voltage - Test: 31.5 V, Current - Test: 1.08 A.
Weitere Produktangebote A2T18H455W23NR6
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt |
|---|---|---|---|---|---|
| A2T18H455W23NR6 | Hersteller : NXP Semiconductors |
RF MOSFET Transistors Airfast RF Power LDMOS Transistor 1805-1880 MHz, 87 W Avg., 31.5 V |
Produkt ist nicht verfügbar |