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A2T23H160-24SR3 NXP Semiconductors


2a2t23h160-24s.pdf Hersteller: NXP Semiconductors
High Reliability RF FET IC
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Technische Details A2T23H160-24SR3 NXP Semiconductors

Description: RF MOSFET LDMOS 28V NI780, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: NI-780S-4L2L, Mounting Type: Chassis Mount, Frequency: 2.3GHz, Configuration: Dual, Power - Output: 28W, Gain: 17.7dB, Technology: LDMOS, Supplier Device Package: NI-780S-4L2L, Voltage - Rated: 65 V, Voltage - Test: 28 V, Current - Test: 350 mA.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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A2T23H160-24SR3 Hersteller : NXP USA Inc. Description: RF MOSFET LDMOS 28V NI780
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: NI-780S-4L2L
Mounting Type: Chassis Mount
Frequency: 2.3GHz
Configuration: Dual
Power - Output: 28W
Gain: 17.7dB
Technology: LDMOS
Supplier Device Package: NI-780S-4L2L
Voltage - Rated: 65 V
Voltage - Test: 28 V
Current - Test: 350 mA
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A2T23H160-24SR3 Hersteller : NXP Semiconductors A2T23H160-24S-1517315.pdf RF MOSFET Transistors Airfast RF Power LDMOS Transistor, 2496-2690 MHz, 28 W Avg., 28 V
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