A2T23H300-24SR6 NXP USA Inc.
Hersteller: NXP USA Inc.
Description: RF MOSFET LDMOS 28V NI1230
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: NI-1230-4LS2L
Mounting Type: Chassis Mount
Frequency: 2.3GHz
Configuration: Dual
Power - Output: 66W
Gain: 14.9dB
Technology: LDMOS
Supplier Device Package: NI-1230-4LS2L
Voltage - Rated: 65 V
Voltage - Test: 28 V
Current - Test: 750 mA
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Technische Details A2T23H300-24SR6 NXP USA Inc.
Description: RF MOSFET LDMOS 28V NI1230, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: NI-1230-4LS2L, Mounting Type: Chassis Mount, Frequency: 2.3GHz, Configuration: Dual, Power - Output: 66W, Gain: 14.9dB, Technology: LDMOS, Supplier Device Package: NI-1230-4LS2L, Voltage - Rated: 65 V, Voltage - Test: 28 V, Current - Test: 750 mA.
Weitere Produktangebote A2T23H300-24SR6
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde |
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A2T23H300-24SR6 | NXP USA Inc. |
Description: RF MOSFET LDMOS 28V NI1230 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: NI-1230-4LS2L Mounting Type: Chassis Mount Frequency: 2.3GHz Configuration: Dual Power - Output: 66W Gain: 14.9dB Technology: LDMOS Supplier Device Package: NI-1230-4LS2L Voltage - Rated: 65 V Voltage - Test: 28 V Current - Test: 750 mA |
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| A2T23H300-24SR6 | NXP Semiconductors |
 RF MOSFET Transistors AIRFAST RF POWER LDMOS TRANSISTOR, 2300-2400 MHz, 69 W Avg., 28 V |
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Mindestbestellmenge: 150 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |
| A2T23H300-24SR6 | NXP Semiconductors |
RF POWER LDMOS TRANSISTOR |
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Description: RF MOSFET LDMOS 28V NI1230
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: NI-1230-4LS2L
Mounting Type: Chassis Mount
Frequency: 2.3GHz
Configuration: Dual
Power - Output: 66W
Gain: 14.9dB
Technology: LDMOS
Supplier Device Package: NI-1230-4LS2L
Voltage - Rated: 65 V
Voltage - Test: 28 V
Current - Test: 750 mA
Description: RF MOSFET LDMOS 28V NI1230
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: NI-1230-4LS2L
Mounting Type: Chassis Mount
Frequency: 2.3GHz
Configuration: Dual
Power - Output: 66W
Gain: 14.9dB
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RF MOSFET Transistors AIRFAST RF POWER LDMOS TRANSISTOR, 2300-2400 MHz, 69 W Avg., 28 V
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RF POWER LDMOS TRANSISTOR
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