A2U12M12W2-F2 STMicroelectronics
Hersteller: STMicroelectronics
Description: IGBT MODULE ACEPACK 2
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Three Level Inverter
Operating Temperature: 175°C (TJ)
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: ACEPACK™ 2
Part Status: Active
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 7 nF @ 800 V
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Technische Details A2U12M12W2-F2 STMicroelectronics
Description: STMICROELECTRONICS - A2U12M12W2-F2 - Siliziumkarbid-MOSFET, Drei-Ebenen-Wechselrichter, Vierfach n-Kanal, 75 A, 1.2 kV, 0.013 ohm, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 75A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Drei-Ebenen-Wechselrichter, euEccn: NLR, Verlustleistung: -, Bauform - Transistor: ACEPACK 2, Anzahl der Pins: 29Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: Vierfach n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 18V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.013ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Weitere Produktangebote A2U12M12W2-F2 nach Preis ab 379.82 EUR bis 447.17 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||
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A2U12M12W2-F2 | STMicroelectronics |
Discrete Semiconductor Modules ACEPACK 2 power module, 3-level topology, 1200 V, 13 mOhm typ. SiC Power MOSFET |
auf Bestellung 41 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| A2U12M12W2-F2 | STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - A2U12M12W2-F2 - Siliziumkarbid-MOSFET, Drei-Ebenen-Wechselrichter, Vierfach n-Kanal, 75 A, 1.2 kV, 0.013 ohm tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 75A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V MOSFET-Modul-Konfiguration: Drei-Ebenen-Wechselrichter euEccn: NLR Verlustleistung: - Bauform - Transistor: ACEPACK 2 Anzahl der Pins: 29Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: Vierfach n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.013ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 14 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| A2U12M12W2-F2 |
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Hersteller: STMicroelectronics
Discrete Semiconductor Modules ACEPACK 2 power module, 3-level topology, 1200 V, 13 mOhm typ. SiC Power MOSFET
Discrete Semiconductor Modules ACEPACK 2 power module, 3-level topology, 1200 V, 13 mOhm typ. SiC Power MOSFET
auf Bestellung 41 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 419.01 EUR |
| 10+ | 396.59 EUR |
| 18+ | 379.82 EUR |
| A2U12M12W2-F2 |
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Hersteller: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - A2U12M12W2-F2 - Siliziumkarbid-MOSFET, Drei-Ebenen-Wechselrichter, Vierfach n-Kanal, 75 A, 1.2 kV, 0.013 ohm
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Drei-Ebenen-Wechselrichter
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Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: ACEPACK 2
Anzahl der Pins: 29Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Vierfach n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.013ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: STMICROELECTRONICS - A2U12M12W2-F2 - Siliziumkarbid-MOSFET, Drei-Ebenen-Wechselrichter, Vierfach n-Kanal, 75 A, 1.2 kV, 0.013 ohm
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
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Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: ACEPACK 2
Anzahl der Pins: 29Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Vierfach n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.013ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 14 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 447.17 EUR |
| 5+ | 413.44 EUR |