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A3G23H500W17SR3 NXP Semiconductors


a3g23h500w17s.pdf Hersteller: NXP Semiconductors
A3G23H500W17SR3
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Technische Details A3G23H500W17SR3 NXP Semiconductors

Description: RF MOSFET GAN 48V NI780, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: NI-780-4S2S, Mounting Type: Chassis Mount, Frequency: 2.3GHz ~ 2.4GHz, Configuration: 2 N-Channel, Power - Output: 80W, Gain: 14.3dB, Technology: GaN, Supplier Device Package: NI-780-4S2S, Voltage - Rated: 125 V, Voltage - Test: 48 V, Current - Test: 300 mA.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
A3G23H500W17SR3 Hersteller : NXP USA Inc. Description: RF MOSFET GAN 48V NI780
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: NI-780-4S2S
Mounting Type: Chassis Mount
Frequency: 2.3GHz ~ 2.4GHz
Configuration: 2 N-Channel
Power - Output: 80W
Gain: 14.3dB
Technology: GaN
Supplier Device Package: NI-780-4S2S
Voltage - Rated: 125 V
Voltage - Test: 48 V
Current - Test: 300 mA
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A3G23H500W17SR3 Hersteller : NXP Semiconductors A3G23H500W17S-2400735.pdf RF JFET Transistors Airfast RF Power GaN Transistor, 2300 2400 MHz, 80 W Avg., 48 V
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