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A3G26D055N-2110

A3G26D055N-2110 NXP USA Inc.

A3G26D055N.pdf
Hersteller: NXP USA Inc.
Description: RF MOSFET GAN 48V 6DFN
Packaging: Bulk
Package / Case: 6-LDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 100MHz ~ 2.69GHz
Power - Output: 8W
Gain: 13.9dB
Technology: GaN
Supplier Device Package: 6-PDFN (7x6.5)
Voltage - Rated: 125 V
Voltage - Test: 48 V
Current - Test: 40 mA
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Technische Details A3G26D055N-2110 NXP USA Inc.

Description: RF MOSFET GAN 48V 6DFN, Packaging: Bulk, Package / Case: 6-LDFN Exposed Pad, Mounting Type: Surface Mount, Frequency: 100MHz ~ 2.69GHz, Power - Output: 8W, Gain: 13.9dB, Technology: GaN, Supplier Device Package: 6-PDFN (7x6.5), Voltage - Rated: 125 V, Voltage - Test: 48 V, Current - Test: 40 mA.

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A3G26D055N-2110 NXP Semiconductors A3G26D055N.pdf NXP Semiconductors RFCell Dev Tool Board
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