A3G26D055NT4 NXP Semiconductors
Hersteller: NXP Semiconductors
GaN FETs Airfast RF Power GaN Amplifier, 100-2690 MHz, 8 W Avg., 48 V
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 80.27 EUR |
| 10+ | 65.95 EUR |
| 100+ | 56.48 EUR |
| 2500+ | 55.02 EUR |
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details A3G26D055NT4 NXP Semiconductors
Description: RF MOSFET GAN 48V 6DFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-LDFN Exposed Pad, Mounting Type: Surface Mount, Frequency: 100MHz ~ 2.69GHz, Power - Output: 8W, Gain: 13.9dB, Technology: GaN, Supplier Device Package: 6-PDFN (7x6.5), Voltage - Rated: 125 V, Voltage - Test: 48 V, Current - Test: 40 mA.
Weitere Produktangebote A3G26D055NT4 nach Preis ab 59.36 EUR bis 83.32 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
A3G26D055NT4 | Hersteller : NXP USA Inc. |
Description: RF MOSFET GAN 48V 6DFNPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-LDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Frequency: 100MHz ~ 2.69GHz Power - Output: 8W Gain: 13.9dB Technology: GaN Supplier Device Package: 6-PDFN (7x6.5) Voltage - Rated: 125 V Voltage - Test: 48 V Current - Test: 40 mA |
auf Bestellung 1632 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||
| A3G26D055NT4 | Hersteller : NXP |
RF Mosfet 48 V 40 mA 100MHz ~ 2.69GHz 13.9dB 8W 6-PDFN (7x6.5) Група товару: Транзистори Од. вим: шт |
Produkt ist nicht verfügbar |
||||||||||||||
|
|
A3G26D055NT4 | Hersteller : NXP USA Inc. |
Description: RF MOSFET GAN 48V 6DFNPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-LDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Frequency: 100MHz ~ 2.69GHz Power - Output: 8W Gain: 13.9dB Technology: GaN Supplier Device Package: 6-PDFN (7x6.5) Voltage - Rated: 125 V Voltage - Test: 48 V Current - Test: 40 mA |
Produkt ist nicht verfügbar |