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A5G07H800W19NR3

A5G07H800W19NR3 NXP Semiconductors


A5G07H800W19N-3394492.pdf Hersteller: NXP Semiconductors
GaN FETs Airfast RF Power GaN Transistor, 717-850 MHz, 112 W Avg., 50 V
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Technische Details A5G07H800W19NR3 NXP Semiconductors

Description: A5G07H800W19NR3, Packaging: Bulk, Package / Case: OM-780-4S4S, Mounting Type: Surface Mount, Frequency: 717MHz ~ 850MHz, Power - Output: 112W, Gain: 18.3dB, Technology: GaN, Supplier Device Package: OM-780-4S4S, Voltage - Rated: 125 V, Voltage - Test: 50 V, Current - Test: 350 mA.

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A5G07H800W19NR3 Hersteller : NXP Semiconductors a5g07h800w19n.pdf RF Power GaN Transistor
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A5G07H800W19NR3 Hersteller : NXP USA Inc. A5G07H800W19N.pdf Description: A5G07H800W19NR3
Packaging: Bulk
Package / Case: OM-780-4S4S
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 717MHz ~ 850MHz
Power - Output: 112W
Gain: 18.3dB
Technology: GaN
Supplier Device Package: OM-780-4S4S
Voltage - Rated: 125 V
Voltage - Test: 50 V
Current - Test: 350 mA
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