A5G07H800W19NR3 NXP Semiconductors
Hersteller: NXP SemiconductorsGaN FETs Airfast RF Power GaN Transistor, 717-850 MHz, 112 W Avg., 50 V
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Technische Details A5G07H800W19NR3 NXP Semiconductors
Description: A5G07H800W19NR3, Packaging: Bulk, Package / Case: OM-780-4S4S, Mounting Type: Surface Mount, Frequency: 717MHz ~ 850MHz, Power - Output: 112W, Gain: 18.3dB, Technology: GaN, Supplier Device Package: OM-780-4S4S, Voltage - Rated: 125 V, Voltage - Test: 50 V, Current - Test: 350 mA.
Weitere Produktangebote A5G07H800W19NR3
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
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| A5G07H800W19NR3 | Hersteller : NXP Semiconductors |
RF Power GaN Transistor |
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| A5G07H800W19NR3 | Hersteller : NXP USA Inc. |
Description: A5G07H800W19NR3 Packaging: Bulk Package / Case: OM-780-4S4S Mounting Type: Surface Mount Frequency: 717MHz ~ 850MHz Power - Output: 112W Gain: 18.3dB Technology: GaN Supplier Device Package: OM-780-4S4S Voltage - Rated: 125 V Voltage - Test: 50 V Current - Test: 350 mA |
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