A5G18H610W19NR3 NXP Semiconductors
Hersteller: NXP SemiconductorsGaN FETs Airfast RF Power GaN Transistor, 1805-1880 MHz, 85 W Avg., 48 V
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| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 222.41 EUR |
| 10+ | 205.88 EUR |
| 25+ | 198.39 EUR |
| 50+ | 193.46 EUR |
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Technische Details A5G18H610W19NR3 NXP Semiconductors
Description: A5G18H610W19NR3, Packaging: Bulk, Package / Case: OM-780-4S4S, Mounting Type: Surface Mount, Frequency: 1.805GHz ~ 1.88GHz, Power - Output: 85W, Gain: 16.6dB, Technology: GaN, Supplier Device Package: OM-780-4S4S, Voltage - Rated: 125 V, Voltage - Test: 48 V, Current - Test: 300 mA.
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
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| A5G18H610W19NR3 | Hersteller : NXP USA Inc. |
Description: A5G18H610W19NR3 Packaging: Bulk Package / Case: OM-780-4S4S Mounting Type: Surface Mount Frequency: 1.805GHz ~ 1.88GHz Power - Output: 85W Gain: 16.6dB Technology: GaN Supplier Device Package: OM-780-4S4S Voltage - Rated: 125 V Voltage - Test: 48 V Current - Test: 300 mA |
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