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A5G19H605W19NR3

A5G19H605W19NR3 NXP Semiconductors

A5G19H605W19N.pdf
Hersteller: NXP Semiconductors
GaN FETs Airfast RF Power GaN Transistor, 1930 1995 MHz, 85 W Avg., 48 V
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Technische Details A5G19H605W19NR3 NXP Semiconductors

Description: A5G19H605W19NR3, Packaging: Bulk, Package / Case: OM-780-4S4S, Mounting Type: Surface Mount, Frequency: 1.93GHz ~ 1.995GHz, Power - Output: 85W, Gain: 15.1dB, Technology: GaN, Supplier Device Package: OM-780-4S4S, Voltage - Rated: 125 V, Voltage - Test: 48 V, Current - Test: 300 mA.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Preis
A5G19H605W19NR3 NXP USA Inc. A5G19H605W19N.pdf Description: A5G19H605W19NR3
Packaging: Bulk
Package / Case: OM-780-4S4S
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 1.93GHz ~ 1.995GHz
Power - Output: 85W
Gain: 15.1dB
Technology: GaN
Supplier Device Package: OM-780-4S4S
Voltage - Rated: 125 V
Voltage - Test: 48 V
Current - Test: 300 mA
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 250 Stücke
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A5G19H605W19NR3 A5G19H605W19N.pdf
Hersteller: NXP USA Inc.
Description: A5G19H605W19NR3
Packaging: Bulk
Package / Case: OM-780-4S4S
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 1.93GHz ~ 1.995GHz
Power - Output: 85W
Gain: 15.1dB
Technology: GaN
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