A5G21H605W19NR3 NXP Semiconductors
Hersteller: NXP SemiconductorsGaN FETs Airfast RF Power GaN Transistor, 2110-2200 MHz, 85 W Avg., 48 V
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| Anzahl | Preis |
|---|---|
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Technische Details A5G21H605W19NR3 NXP Semiconductors
Description: RF MOSFET LDMOS 30V ACP1230S-4, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: OM-780-4S4S, Mounting Type: Surface Mount, Frequency: 2.11GHz ~ 2.2GHz, Power - Output: 85W, Gain: 15.1dB, Technology: GaN, Supplier Device Package: OM-780-4S4S, Voltage - Rated: 125 V, Voltage - Test: 48 V, Current - Test: 300 mA.
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
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| A5G21H605W19NR3 | Hersteller : NXP USA Inc. |
Description: RF MOSFET LDMOS 30V ACP1230S-4 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: OM-780-4S4S Mounting Type: Surface Mount Frequency: 2.11GHz ~ 2.2GHz Power - Output: 85W Gain: 15.1dB Technology: GaN Supplier Device Package: OM-780-4S4S Voltage - Rated: 125 V Voltage - Test: 48 V Current - Test: 300 mA |
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