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A5G21H605W19NR3

A5G21H605W19NR3 NXP Semiconductors


A5G21H605W19N-3412686.pdf Hersteller: NXP Semiconductors
GaN FETs Airfast RF Power GaN Transistor, 2110-2200 MHz, 85 W Avg., 48 V
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Technische Details A5G21H605W19NR3 NXP Semiconductors

Description: RF MOSFET LDMOS 30V ACP1230S-4, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: OM-780-4S4S, Mounting Type: Surface Mount, Frequency: 2.11GHz ~ 2.2GHz, Power - Output: 85W, Gain: 15.1dB, Technology: GaN, Supplier Device Package: OM-780-4S4S, Voltage - Rated: 125 V, Voltage - Test: 48 V, Current - Test: 300 mA.

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A5G21H605W19NR3 Hersteller : NXP USA Inc. A5G21H605W19N.pdf Description: RF MOSFET LDMOS 30V ACP1230S-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: OM-780-4S4S
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 2.11GHz ~ 2.2GHz
Power - Output: 85W
Gain: 15.1dB
Technology: GaN
Supplier Device Package: OM-780-4S4S
Voltage - Rated: 125 V
Voltage - Test: 48 V
Current - Test: 300 mA
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