A5G21H605W19NR3 NXP Semiconductors
Hersteller: NXP SemiconductorsRF MOSFET Transistors Airfast RF Power GaN Transistor, 2110 2200 MHz, 85 W Avg., 48 V
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Technische Details A5G21H605W19NR3 NXP Semiconductors
RF MOSFET Transistors Airfast RF Power GaN Transistor, 2110 2200 MHz, 85 W Avg., 48 V.