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A5G26H605W19NR3

A5G26H605W19NR3 NXP Semiconductors


A5G26H605W19N-3412677.pdf Hersteller: NXP Semiconductors
GaN FETs Airfast RF Power GaN Transistor, 2496-2690 MHz, 85 W Avg., 48 V
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Technische Details A5G26H605W19NR3 NXP Semiconductors

Description: A5G26H605W19NR3, Packaging: Bulk, Package / Case: OM-780-4S4S, Mounting Type: Surface Mount, Frequency: 2.496GHz ~ 2.69GHz, Power - Output: 85W, Gain: 14.2dB, Technology: GaN, Supplier Device Package: OM-780-4S4S, Voltage - Rated: 125 V, Voltage - Test: 48 V, Current - Test: 300 mA.

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A5G26H605W19NR3 Hersteller : NXP USA Inc. A5G26H605W19N.pdf Description: A5G26H605W19NR3
Packaging: Bulk
Package / Case: OM-780-4S4S
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 2.496GHz ~ 2.69GHz
Power - Output: 85W
Gain: 14.2dB
Technology: GaN
Supplier Device Package: OM-780-4S4S
Voltage - Rated: 125 V
Voltage - Test: 48 V
Current - Test: 300 mA
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