A5G26H605W19NR3 NXP Semiconductors
Hersteller: NXP SemiconductorsGaN FETs Airfast RF Power GaN Transistor, 2496-2690 MHz, 85 W Avg., 48 V
auf Bestellung 42 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 370.02 EUR |
| 10+ | 315.37 EUR |
| 100+ | 285.86 EUR |
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details A5G26H605W19NR3 NXP Semiconductors
Description: A5G26H605W19NR3, Packaging: Bulk, Package / Case: OM-780-4S4S, Mounting Type: Surface Mount, Frequency: 2.496GHz ~ 2.69GHz, Power - Output: 85W, Gain: 14.2dB, Technology: GaN, Supplier Device Package: OM-780-4S4S, Voltage - Rated: 125 V, Voltage - Test: 48 V, Current - Test: 300 mA.
Weitere Produktangebote A5G26H605W19NR3
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
|---|---|---|---|---|---|
| A5G26H605W19NR3 | Hersteller : NXP USA Inc. |
Description: A5G26H605W19NR3 Packaging: Bulk Package / Case: OM-780-4S4S Mounting Type: Surface Mount Frequency: 2.496GHz ~ 2.69GHz Power - Output: 85W Gain: 14.2dB Technology: GaN Supplier Device Package: OM-780-4S4S Voltage - Rated: 125 V Voltage - Test: 48 V Current - Test: 300 mA |
Produkt ist nicht verfügbar |