A5G35H120NT2 NXP USA Inc.
Hersteller: NXP USA Inc.Description: RF MOSFET GAN 48V 10DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 10-PowerLDFN
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 3.3GHz ~ 3.7GHz
Power - Output: 18W
Gain: 14.1dB
Technology: GaN
Supplier Device Package: 10-DFN (7x10)
Voltage - Rated: 125 V
Voltage - Test: 48 V
Current - Test: 70 mA
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Technische Details A5G35H120NT2 NXP USA Inc.
Description: RF MOSFET GAN 48V 10DFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 10-PowerLDFN, Mounting Type: Surface Mount, Frequency: 3.3GHz ~ 3.7GHz, Power - Output: 18W, Gain: 14.1dB, Technology: GaN, Supplier Device Package: 10-DFN (7x10), Voltage - Rated: 125 V, Voltage - Test: 48 V, Current - Test: 70 mA.
Weitere Produktangebote A5G35H120NT2
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
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A5G35H120NT2 | Hersteller : NXP Semiconductors |
GaN FETs Airfast RF Power GaN Amplifier, 3300-3800 MHz, 18 W Avg., 48 V |
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