A5G35H120NT2 NXP Semiconductors
Hersteller: NXP SemiconductorsRF MOSFET Transistors Airfast RF Power GaN Transistor, 3300 3800 MHz, 18 W Avg., 48 V
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| Anzahl | Preis ohne MwSt |
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| 1+ | 111.62 EUR |
| 10+ | 99.45 EUR |
| 25+ | 93.52 EUR |
| 50+ | 90.4 EUR |
| 100+ | 87.28 EUR |
| 250+ | 84.16 EUR |
| 500+ | 80.24 EUR |
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Technische Details A5G35H120NT2 NXP Semiconductors
Description: RF MOSFET GAN 48V 10DFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 10-PowerLDFN, Mounting Type: Surface Mount, Frequency: 3.3GHz ~ 3.7GHz, Power - Output: 18W, Gain: 14.1dB, Technology: GaN, Supplier Device Package: 10-DFN (7x10), Voltage - Rated: 125 V, Voltage - Test: 48 V, Current - Test: 70 mA.
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis ohne MwSt |
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| A5G35H120NT2 | Hersteller : NXP USA Inc. |
Description: RF MOSFET GAN 48V 10DFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 10-PowerLDFN Mounting Type: Surface Mount Frequency: 3.3GHz ~ 3.7GHz Power - Output: 18W Gain: 14.1dB Technology: GaN Supplier Device Package: 10-DFN (7x10) Voltage - Rated: 125 V Voltage - Test: 48 V Current - Test: 70 mA |
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