A5G35S004NT6 NXP USA Inc.
Hersteller: NXP USA Inc.
Description: AIRFAST RF POWER GAN TRANSISTOR,
Voltage - Test: 48 V
Voltage - Rated: 125 V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 6-PDFN (4x4.5)
Gain: 16.9dB
Power - Output: 24.5dBm
Frequency: 3.3GHz ~ 4.3GHz
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-LDFN Exposed Pad
Packaging: Tape & Reel (TR)
Current - Test: 12 mA
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Technische Details A5G35S004NT6 NXP USA Inc.
Description: AIRFAST RF POWER GAN TRANSISTOR,, Voltage - Test: 48 V, Voltage - Rated: 125 V, Part Status: Active, Supplier Device Package: 6-PDFN (4x4.5), Gain: 16.9dB, Power - Output: 24.5dBm, Frequency: 3.3GHz ~ 4.3GHz, Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: 6-LDFN Exposed Pad, Packaging: Tape & Reel (TR), Current - Test: 12 mA.
Weitere Produktangebote A5G35S004NT6
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Preis |
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A5G35S004NT6 | NXP Semiconductors |
GaN FETs Airfast RF Power GaN Transistor, 3300-4300 MHz, 24.5 dBm Avg., 48 V |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 5000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| A5G35S004NT6 |
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Hersteller: NXP Semiconductors
GaN FETs Airfast RF Power GaN Transistor, 3300-4300 MHz, 24.5 dBm Avg., 48 V
GaN FETs Airfast RF Power GaN Transistor, 3300-4300 MHz, 24.5 dBm Avg., 48 V
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH