A5G35S004NT6 NXP Semiconductors
Hersteller: NXP SemiconductorsRF MOSFET Transistors Airfast RF Power GaN Transistor, 3300 4300 MHz, 24.5 dBm Avg., 48 V
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| Anzahl | Preis ohne MwSt |
|---|---|
| 1+ | 26.8 EUR |
| 10+ | 23.62 EUR |
| 25+ | 22.99 EUR |
| 50+ | 21.7 EUR |
| 100+ | 20.43 EUR |
| 250+ | 19.78 EUR |
| 500+ | 18.52 EUR |
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Technische Details A5G35S004NT6 NXP Semiconductors
Description: AIRFAST RF POWER GAN TRANSISTOR,, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-LDFN Exposed Pad, Mounting Type: Surface Mount, Frequency: 3.3GHz ~ 4.3GHz, Power - Output: 24.5dBm, Gain: 16.9dB, Supplier Device Package: 6-PDFN (4x4.5), Part Status: Active, Voltage - Rated: 125 V, Voltage - Test: 48 V, Current - Test: 12 mA.
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis ohne MwSt |
|---|---|---|---|---|---|
| A5G35S004NT6 | Hersteller : NXP USA Inc. |
Description: AIRFAST RF POWER GAN TRANSISTOR, Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-LDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Frequency: 3.3GHz ~ 4.3GHz Power - Output: 24.5dBm Gain: 16.9dB Supplier Device Package: 6-PDFN (4x4.5) Part Status: Active Voltage - Rated: 125 V Voltage - Test: 48 V Current - Test: 12 mA |
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