A5G35S004NT6 NXP USA Inc.
Hersteller: NXP USA Inc.Description: AIRFAST RF POWER GAN TRANSISTOR,
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-LDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 3.3GHz ~ 4.3GHz
Power - Output: 24.5dBm
Gain: 16.9dB
Supplier Device Package: 6-PDFN (4x4.5)
Part Status: Active
Voltage - Rated: 125 V
Voltage - Test: 48 V
Current - Test: 12 mA
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Technische Details A5G35S004NT6 NXP USA Inc.
Description: AIRFAST RF POWER GAN TRANSISTOR,, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-LDFN Exposed Pad, Mounting Type: Surface Mount, Frequency: 3.3GHz ~ 4.3GHz, Power - Output: 24.5dBm, Gain: 16.9dB, Supplier Device Package: 6-PDFN (4x4.5), Part Status: Active, Voltage - Rated: 125 V, Voltage - Test: 48 V, Current - Test: 12 mA.
Weitere Produktangebote A5G35S004NT6
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
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A5G35S004NT6 | Hersteller : NXP Semiconductors |
GaN FETs Airfast RF Power GaN Transistor, 3300-4300 MHz, 24.5 dBm Avg., 48 V |
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