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Technische Details A6G35S006NT6 NXP USA Inc.
Airfast RF Power GaN Transistor, 2496-5000 MHz, 28 dBm, 48 V.
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde |
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| A6G35S006NT6 | NXP Semiconductors |
 Airfast RF Power GaN Transistor, 2496-5000 MHz, 28 dBm, 48 V |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 5000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| A6G35S006NT6 |
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Hersteller: NXP Semiconductors
Airfast RF Power GaN Transistor, 2496-5000 MHz, 28 dBm, 48 V
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