ADP46075W3 STMicroelectronics
Hersteller: STMicroelectronics
Discrete Semiconductor Modules Automotive-grade ACEPACK DRIVE power module sixpack topology 750 V 1.6 mOhm
Discrete Semiconductor Modules Automotive-grade ACEPACK DRIVE power module sixpack topology 750 V 1.6 mOhm
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Technische Details ADP46075W3 STMicroelectronics
Description: STMICROELECTRONICS - ADP46075W3 - Siliziumkarbid-MOSFET, AQG 324, SixPack, n-Kanal, 485 A, 750 V, 0.00205 ohm, ACEPACK DRIVE, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 750V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 485A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: TBA, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.4V, MOSFET-Modul-Konfiguration: SixPack, euEccn: NLR, Verlustleistung: 704W, Bauform - Transistor: ACEPACK DRIVE, Anzahl der Pins: 30Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 18V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00205ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).
Weitere Produktangebote ADP46075W3
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis |
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ADP46075W3 | Hersteller : STMICROELECTRONICS |
 Description: STMICROELECTRONICS - ADP46075W3 - Siliziumkarbid-MOSFET, Produktreihe ACEPACK, SixPack, n-Kanal, 485 A, 750 V, 0.00205 ohm, ModultariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 750V Dauer-Drainstrom Id: 485A hazardous: false usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.4V MOSFET-Modul-Konfiguration: SixPack euEccn: NLR Verlustleistung: 704W Bauform - Transistor: Modul Anzahl der Pins: 30Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00205ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
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ADP46075W3 | Hersteller : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - ADP46075W3 - Siliziumkarbid-MOSFET, AQG 324, SixPack, n-Kanal, 485 A, 750 V, 0.00205 ohm, ACEPACK DRIVE tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 750V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 485A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.4V MOSFET-Modul-Konfiguration: SixPack euEccn: NLR Verlustleistung: 704W Bauform - Transistor: ACEPACK DRIVE Anzahl der Pins: 30Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00205ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 6 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |