AFGHL40T65SPD ONSEMI
Hersteller: ONSEMI
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 40A; 134W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 40A
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate-emitter voltage: ±20V
Power dissipation: 134W
Pulsed collector current: 120A
Gate charge: 36nC
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Technische Details AFGHL40T65SPD ONSEMI
Description: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO-247-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 35 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 40A, Supplier Device Package: TO-247-3, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 18ns/35ns, Switching Energy: 1.16mJ (on), 270µJ (off), Test Condition: 400V, 40A, 6Ohm, 15V, Gate Charge: 36 nC, Grade: Automotive, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 80 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A, Power - Max: 267 W, Qualification: AEC-Q101.
Weitere Produktangebote AFGHL40T65SPD nach Preis ab 4.61 EUR bis 11.11 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
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AFGHL40T65SPD | onsemi |
Description: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO-247-3Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 35 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 40A Supplier Device Package: TO-247-3 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 18ns/35ns Switching Energy: 1.16mJ (on), 270µJ (off) Test Condition: 400V, 40A, 6Ohm, 15V Gate Charge: 36 nC Grade: Automotive Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 80 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A Power - Max: 267 W Qualification: AEC-Q101 |
auf Bestellung 114645 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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AFGHL40T65SPD | onsemi |
IGBTs FS3 T TO247 40A 65 |
auf Bestellung 2142 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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AFGHL40T65SPD | ONSEMI |
Description: ONSEMI - AFGHL40T65SPD - IGBT, 80 A, 1.85 V, 267 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.85V MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung: 267W SVHC: Lead (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-247 Dauerkollektorstrom: 80A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 175°C |
auf Bestellung 327 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||
| AFGHL40T65SPD | ON Semiconductor |
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auf Bestellung 274 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| AFGHL40T65SPD |
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Hersteller: onsemi
Description: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO-247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 18ns/35ns
Switching Energy: 1.16mJ (on), 270µJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 6Ohm, 15V
Gate Charge: 36 nC
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 267 W
Qualification: AEC-Q101
Description: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO-247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 18ns/35ns
Switching Energy: 1.16mJ (on), 270µJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 6Ohm, 15V
Gate Charge: 36 nC
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 267 W
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 114645 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 2+ | 11.07 EUR |
| 30+ | 6.38 EUR |
| 120+ | 5.35 EUR |
| 510+ | 4.61 EUR |
| AFGHL40T65SPD |
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Hersteller: onsemi
IGBTs FS3 T TO247 40A 65
IGBTs FS3 T TO247 40A 65
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Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 11.11 EUR |
| 10+ | 6.42 EUR |
| 120+ | 5.35 EUR |
| AFGHL40T65SPD |
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Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - AFGHL40T65SPD - IGBT, 80 A, 1.85 V, 267 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.85V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 267W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 80A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Description: ONSEMI - AFGHL40T65SPD - IGBT, 80 A, 1.85 V, 267 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
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rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.85V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 267W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 80A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
auf Bestellung 327 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| AFGHL40T65SPD |
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Hersteller: ON Semiconductor
auf Bestellung 274 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)



