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AFGY160T65SPD-B4

AFGY160T65SPD-B4 onsemi

afgy160t65spd-b4-d.pdf Hersteller: onsemi
Description: IGBT TRENCH FS 650V 240A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 132 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 160A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 53ns/98ns
Switching Energy: 12.4mJ (on), 5.7mJ (off)
Test Condition: 400V, 160A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 245 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 240 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 480 A
Power - Max: 882 W
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q100
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Technische Details AFGY160T65SPD-B4 onsemi

Description: IGBT TRENCH FS 650V 240A TO247-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 132 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 160A, Supplier Device Package: TO-247-3, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 53ns/98ns, Switching Energy: 12.4mJ (on), 5.7mJ (off), Test Condition: 400V, 160A, 5Ohm, 15V, Gate Charge: 245 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 240 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 480 A, Power - Max: 882 W, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q100.

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AFGY160T65SPD-B4 Hersteller : onsemi AFGY160T65SPD_B4_D-2310088.pdf IGBT Transistors FS3 TO247 160A 650V AUTOMOTIVE TRACTION WITH BINNING
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AFGY160T65SPD-B4 Hersteller : ON Semiconductor afgy160t65spd-b4-d.pdf IGBT 650V, 160A Field Stop Trench IGBT
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SVHC: Lead (10-Jun-2022)
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