AFIC901NT1 NXP
Hersteller: NXP
Description: NXP - AFIC901NT1 - HF-FET-Transistor, 30 V, 1.8 MHz, 1 GHz, HVQFN
tariffCode: 85423390
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: -
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rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Betriebsfrequenz, max.: 1GHz
Betriebsfrequenz, min.: 1.8MHz
euEccn: NLR
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: HVQFN
Anzahl der Pins: 24Pin(s)
Produktpalette: AFIC901N
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
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Technische Details AFIC901NT1 NXP
Description: NXP - AFIC901NT1 - HF-FET-Transistor, 30 V, 1.8 MHz, 1 GHz, HVQFN, tariffCode: 85423390, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: -, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, MSL: MSL 3 - 168 Stunden, usEccn: EAR99, Betriebsfrequenz, max.: 1GHz, Betriebsfrequenz, min.: 1.8MHz, euEccn: NLR, Verlustleistung: -, Bauform - Transistor: HVQFN, Anzahl der Pins: 24Pin(s), Produktpalette: AFIC901N, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Weitere Produktangebote AFIC901NT1 nach Preis ab 3.44 EUR bis 9.12 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||||
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AFIC901NT1 | NXP Semiconductors |
RF Amplifier Airfast RF LDMOS Wideband Integrated Power Amplifier, 1.8-1000 MHz, 30 dBm, 7.5 V |
auf Bestellung 1563 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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AFIC901NT1 | NXP |
Description: NXP - AFIC901NT1 - HF-FET-Transistor, 30 V, 1.8 MHz, 1 GHz, HVQFN tariffCode: 85423390 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: - hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: EAR99 Betriebsfrequenz, max.: 1GHz Betriebsfrequenz, min.: 1.8MHz euEccn: NLR Verlustleistung: - Bauform - Transistor: HVQFN Anzahl der Pins: 24Pin(s) Produktpalette: AFIC901N productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 333 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| AFIC901NT1 |
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Hersteller: NXP Semiconductors
RF Amplifier Airfast RF LDMOS Wideband Integrated Power Amplifier, 1.8-1000 MHz, 30 dBm, 7.5 V
RF Amplifier Airfast RF LDMOS Wideband Integrated Power Amplifier, 1.8-1000 MHz, 30 dBm, 7.5 V
auf Bestellung 1563 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 7.16 EUR |
| 10+ | 5.81 EUR |
| 100+ | 5.26 EUR |
| 250+ | 4.77 EUR |
| 500+ | 4.3 EUR |
| 1000+ | 3.61 EUR |
| 2000+ | 3.44 EUR |
| AFIC901NT1 |
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Hersteller: NXP
Description: NXP - AFIC901NT1 - HF-FET-Transistor, 30 V, 1.8 MHz, 1 GHz, HVQFN
tariffCode: 85423390
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
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rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Betriebsfrequenz, max.: 1GHz
Betriebsfrequenz, min.: 1.8MHz
euEccn: NLR
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Bauform - Transistor: HVQFN
Anzahl der Pins: 24Pin(s)
Produktpalette: AFIC901N
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: NXP - AFIC901NT1 - HF-FET-Transistor, 30 V, 1.8 MHz, 1 GHz, HVQFN
tariffCode: 85423390
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
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rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Betriebsfrequenz, max.: 1GHz
Betriebsfrequenz, min.: 1.8MHz
euEccn: NLR
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: HVQFN
Anzahl der Pins: 24Pin(s)
Produktpalette: AFIC901N
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 333 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 28+ | 9.12 EUR |
| 35+ | 6.79 EUR |
| 100+ | 4.87 EUR |