AFIC901NT1 NXP Semiconductors
Hersteller: NXP SemiconductorsRF Amplifier Airfast RF LDMOS Wideband Integrated Power Amplifier, 1.8-1000 MHz, 30 dBm, 7.5 V
auf Bestellung 1563 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 6.02 EUR |
| 10+ | 4.88 EUR |
| 100+ | 4.42 EUR |
| 250+ | 4.01 EUR |
| 500+ | 3.61 EUR |
| 1000+ | 3.03 EUR |
| 2000+ | 2.89 EUR |
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details AFIC901NT1 NXP Semiconductors
Description: NXP - AFIC901NT1 - HF-FET-Transistor, 30 V, 1.8 MHz, 1 GHz, HVQFN, tariffCode: 85423390, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: -, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, MSL: MSL 3 - 168 Stunden, usEccn: EAR99, Betriebsfrequenz, max.: 1GHz, Betriebsfrequenz, min.: 1.8MHz, euEccn: NLR, Verlustleistung: -, Bauform - Transistor: HVQFN, Anzahl der Pins: 24Pin(s), Produktpalette: AFIC901N, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Weitere Produktangebote AFIC901NT1
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
|---|---|---|---|---|---|
 |
AFIC901NT1 | Hersteller : NXP |
Description: NXP - AFIC901NT1 - HF-FET-Transistor, 30 V, 1.8 MHz, 1 GHz, HVQFN tariffCode: 85423390 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: - hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: EAR99 Betriebsfrequenz, max.: 1GHz Betriebsfrequenz, min.: 1.8MHz euEccn: NLR Verlustleistung: - Bauform - Transistor: HVQFN Anzahl der Pins: 24Pin(s) Produktpalette: AFIC901N productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 333 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
|
|
AFIC901NT1 | Hersteller : NXP |
Description: NXP - AFIC901NT1 - HF-FET-Transistor, 30 V, 1.8 MHz, 1 GHz, HVQFN tariffCode: 85423390 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: - hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: EAR99 Betriebsfrequenz, max.: 1GHz Betriebsfrequenz, min.: 1.8MHz euEccn: NLR Verlustleistung: - Bauform - Transistor: HVQFN Anzahl der Pins: 24Pin(s) Produktpalette: AFIC901N productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 333 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
 |
AFIC901NT1 | Hersteller : NXP Semiconductors |
RF Amp Dual Power Amp 1GHz 30V 24-Pin HVQFN EP T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
|
|
|
AFIC901NT1 | Hersteller : NXP Semiconductors |
RF Amp Dual Power Amp 1GHz 30V 24-Pin HVQFN EP T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
|
 |
AFIC901NT1 | Hersteller : NXP Semiconductors |
RF Amp Dual Power Amp 1GHz 30V 24-Pin HVQFN EP T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
|
 |
AFIC901NT1 | Hersteller : NXP USA Inc. |
Description: IC RF AMP 1.8MHZ-1GHZ 24QFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 24-VFQFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Frequency: 1.8MHz ~ 1GHz Voltage - Supply: 7.5V Gain: 30dB Supplier Device Package: 24-QFN (4x4) |
Produkt ist nicht verfügbar |
|
|
|
AFIC901NT1 | Hersteller : NXP USA Inc. |
Description: IC RF AMP 1.8MHZ-1GHZ 24QFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 24-VFQFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Frequency: 1.8MHz ~ 1GHz Voltage - Supply: 7.5V Gain: 30dB Supplier Device Package: 24-QFN (4x4) |
Produkt ist nicht verfügbar |