AFT05MS006NT1 NXP Semiconductors
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| Anzahl | Preis |
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| 43+ | 3.36 EUR |
| 50+ | 3.19 EUR |
| 100+ | 3.04 EUR |
| 200+ | 2.77 EUR |
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Technische Details AFT05MS006NT1 NXP Semiconductors
Description: NXP - AFT05MS006NT1 - HF-FET-Transistor, 30 VDC, 128 W, 136 MHz, 941 MHz, PLD-1.5W, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30VDC, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: -, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, MSL: MSL 3 - 168 Stunden, usEccn: EAR99, Betriebsfrequenz, max.: 941MHz, Betriebsfrequenz, min.: 136MHz, euEccn: NLR, Verlustleistung: 128W, Bauform - Transistor: PLD-1.5W, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).
Weitere Produktangebote AFT05MS006NT1 nach Preis ab 2.7 EUR bis 24.31 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis | ||||||||||||||
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AFT05MS006NT1 | Hersteller : NXP Semiconductors |
 Trans RF FET N-CH 30V 3-Pin PLD-1.5W T/R |
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AFT05MS006NT1 | Hersteller : NXP Semiconductors |
Trans RF FET N-CH 30V 3-Pin PLD-1.5W T/R |
auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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AFT05MS006NT1 | Hersteller : NXP Semiconductors |
Trans RF FET N-CH 30V 3-Pin PLD-1.5W T/R |
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AFT05MS006NT1 | Hersteller : NXP USA Inc. |
Description: RF MOSFET LDMOS 7.5V PLD-1.5W Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PLD-1.5W Mounting Type: Surface Mount Frequency: 520MHz Power - Output: 6W Gain: 18.3dB Technology: LDMOS Supplier Device Package: PLD-1.5W Part Status: Not For New Designs Voltage - Rated: 30 V Voltage - Test: 7.5 V Current - Test: 100 mA |
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AFT05MS006NT1 | Hersteller : NXP |
Description: NXP - AFT05MS006NT1 - HF-FET-Transistor, 30 VDC, 128 W, 136 MHz, 941 MHz, PLD-1.5W tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30VDC rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: - hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: EAR99 Betriebsfrequenz, max.: 941MHz Betriebsfrequenz, min.: 136MHz euEccn: NLR Verlustleistung: 128W Bauform - Transistor: PLD-1.5W Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
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AFT05MS006NT1 | Hersteller : NXP |
Description: NXP - AFT05MS006NT1 - HF-FET-Transistor, 30 VDC, 128 W, 136 MHz, 941 MHz, PLD-1.5W tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30VDC rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: - hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: EAR99 Betriebsfrequenz, max.: 941MHz Betriebsfrequenz, min.: 136MHz euEccn: NLR Verlustleistung: 128W Bauform - Transistor: PLD-1.5W Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
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| AFT05MS006NT1 | Hersteller : NXP Semiconductors |
RF MOSFET Transistors The factory is currently not accepting orders for this product. |
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AFT05MS006NT1 | Hersteller : NXP Semiconductors |
Trans RF FET N-CH 30V 3-Pin PLD-1.5W T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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AFT05MS006NT1 | Hersteller : NXP Semiconductors |
Trans RF FET N-CH 30V 3-Pin PLD-1.5W T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| AFT05MS006NT1 | Hersteller : NXP |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; RF; 125W; PLD-1.5W; Pout: 6W; SMT Electrical mounting: SMT Kind of channel: enhancement Kind of package: reel; tape Case: PLD-1.5W Type of transistor: N-MOSFET Kind of transistor: RF Polarisation: unipolar Output power: 6W Open-loop gain: 18.3dB Efficiency: 73% Power dissipation: 125W Frequency: 520MHz Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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AFT05MS006NT1 | Hersteller : NXP USA Inc. |
Description: RF MOSFET LDMOS 7.5V PLD-1.5W Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PLD-1.5W Mounting Type: Surface Mount Frequency: 520MHz Power - Output: 6W Gain: 18.3dB Technology: LDMOS Supplier Device Package: PLD-1.5W Part Status: Not For New Designs Voltage - Rated: 30 V Voltage - Test: 7.5 V Current - Test: 100 mA |
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| AFT05MS006NT1 | Hersteller : NXP |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; RF; 125W; PLD-1.5W; Pout: 6W; SMT Electrical mounting: SMT Kind of channel: enhancement Kind of package: reel; tape Case: PLD-1.5W Type of transistor: N-MOSFET Kind of transistor: RF Polarisation: unipolar Output power: 6W Open-loop gain: 18.3dB Efficiency: 73% Power dissipation: 125W Frequency: 520MHz |
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